軟件定義的存儲(chǔ)剛剛開(kāi)始形成，然而系統(tǒng)演進(jìn)的步伐已經(jīng)使得未來(lái)技術(shù)的創(chuàng)新越來(lái)越受到關(guān)注。

我們并非要在文中探討磁盤(pán)存儲(chǔ)池，也不是要討論固態(tài)驅(qū)動(dòng)器。存儲(chǔ)的未來(lái)在于其與內(nèi)存的融合。隨著非線性雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(nonvolatile dual in-line memory modules, NVDIMM)的引入，系統(tǒng)內(nèi)存在變得越來(lái)越復(fù)雜的同時(shí)，也將內(nèi)存的速度與存儲(chǔ)的持久質(zhì)量結(jié)合到了一起。

這些產(chǎn)品已經(jīng)問(wèn)世。鎂光(Micron)推出的首款全閃存的NVDIMM已經(jīng)在產(chǎn)，并且?guī)准?硬件)供應(yīng)商都在服務(wù)器產(chǎn)品中提供該款硬件。當(dāng)然，其優(yōu)勢(shì)在于數(shù)據(jù)在內(nèi)存總線上移動(dòng)時(shí)，比在外圍組件互連Express(PCIe)上移動(dòng)的速度要快得多，盡管NVDIMM閃存的速度仍然還要比動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)慢一些。

有些情況下，例如在軍事系統(tǒng)或金融服務(wù)方面，對(duì)內(nèi)存持久性需求更高。Viking Technology公司創(chuàng)建的NVDIMM的一種版本，其中包含了大量與閃存匹配的DRAM空間。當(dāng)系統(tǒng)接通電源時(shí)，用戶可以選擇將數(shù)據(jù)從閃存加載到相應(yīng)的DRAM之中。如果電源關(guān)閉或機(jī)器停止，DRAM的數(shù)據(jù)將會(huì)被備份到閃存之上。

Viking辦法的優(yōu)點(diǎn)是系統(tǒng)可以使用CPU寄存器-存儲(chǔ)器命令將數(shù)據(jù)寫(xiě)入DRAM。這允許單字節(jié)的寫(xiě)入操作，而不是傳統(tǒng)存儲(chǔ)操作中使用的4KB文件形式的I/O區(qū)塊和全閃存型NVDIMM。這種字節(jié)模式I/O比區(qū)塊訪問(wèn)閃存快了數(shù)千倍。支持此功能的軟件非常復(fù)雜，不僅涉及操作系統(tǒng)更改以處理異常，還涉及編譯器擴(kuò)展。由于這種類(lèi)型的I/O不使用標(biāo)準(zhǔn)塊方法，所以應(yīng)用程序需要修改。

隨著軟件變化的出現(xiàn)，我們可以期待看到混合方法在現(xiàn)實(shí)中的應(yīng)用。最有可能的是，數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)將成為第一批實(shí)例，其中所有的更改都由數(shù)據(jù)庫(kù)供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)，為最終用戶提供一個(gè)透明的平臺(tái)。

閃存的替代品，如英特爾和鎂光3D XPoint產(chǎn)品，惠普企業(yè)和SanDisk的Memristor產(chǎn)品，以及索尼和Viking科技的ReRAM將提高持久性和非持久性?xún)?nèi)存區(qū)段之間的速度比。即使如此，它們的速度仍然比現(xiàn)今的DRAM慢得多。

接受這些技術(shù)的關(guān)鍵是應(yīng)用程序需要將其視為DRAM類(lèi)型的可寫(xiě)尋址空間或塊I/O驅(qū)動(dòng)器。做不到這一點(diǎn)，額外的速度是在應(yīng)用軟件開(kāi)銷(xiāo)中浪費(fèi)掉的。

事實(shí)上，這些都是需要多家公司共同努力，以克服將這些尖端技術(shù)推向市場(chǎng)所面臨的挑戰(zhàn)和復(fù)雜性，因此不要指望這些產(chǎn)品2017年底或2018年初就可以使用。