全球存儲器商機上看80億美元，然大陸產(chǎn)值竟然僅占1%，且是由非主流的利基型存儲器(SDRAM)和NOR Flash貢獻(xiàn)，一語道出大陸心急如焚硬闖DRAM和3D NAND的苦楚，更讓三大陣營紫光集團旗下的長江存儲、聯(lián)電的福建晉華、北京GigaDevice明爭暗斗搶當(dāng)一哥，而當(dāng)?shù)刂?、小企業(yè)則是另辟蹊徑敲門新式記憶體MRAM，大家兵分多路就是想突破存儲器這道銅墻鐵壁。

SEMICON China 2017盛大登場，存儲器儲存產(chǎn)業(yè)成為2017年的重頭戲，但尷尬的是，大陸在DRAM和3D NAND主流存儲器發(fā)展路上，仍是處于灑種子階段，但因為內(nèi)需市場龐大，仍吸引美光(Micron)、三星電子(Samsung Electronics)、威騰(WD)等國際大廠來助陣！

全球存儲器市場規(guī)模高達(dá)80億美元，包含DRAM、SDRAM、NAND Flash、NOR Flash等，然其中，大陸供應(yīng)商貢獻(xiàn)的存儲器產(chǎn)值卻僅1%，主要是由北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)等利基型存儲器貢獻(xiàn)，完全沒有主流的產(chǎn)品，因此大陸亟需DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)落地生根。

現(xiàn)在大陸的存儲器分為三大陣營，第一是長江存儲，其購并武漢新芯后，分頭發(fā)展DRAM和NAND Flash兩大技術(shù)，生產(chǎn)基地為北京、武漢、南京；第二為聯(lián)電的策略聯(lián)盟伙伴福建晉華，生產(chǎn)基地在晉江，專職于DRAM技術(shù)研發(fā)；第三大陣營是由北京GigaDevice領(lǐng)軍，其購并美商矽成(ISSI)后，發(fā)展NAND Flash、NOR Flash、SPI Flash、MCU，總部位于北京。

JEDEC也指出，在各種NAND Flash應(yīng)用中，消耗量最大的是智能手機，占整個NAND Flash應(yīng)用36%、固態(tài)硬碟(SSD)占24%、快閃記憶卡占16%、Tablet PC占15%、消費性電子占5%，其他為4%。

再者，3D NAND技術(shù)在2015年、2016年開始起步，預(yù)計2017年是大放量年，全年3D NAND占整個NAND Flash市場可達(dá)36%，預(yù)計2018年比重3D NAND可一舉超過54%，成為整個產(chǎn)業(yè)的主流。

目前量產(chǎn)的3D NAND技術(shù)在32層堆疊和48層堆疊，2017年下半可進(jìn)入64層和72層堆疊技術(shù)，進(jìn)入2020年左右可以到達(dá)96層堆疊技術(shù)。

美光的先進(jìn)存儲器解決方案副總Dean A. Klein表示，儲存技術(shù)從最早期的Magnetic Tape、Drum Memory、Core Memory到硬碟(Hard Disk)，一直到1966年DRAM出現(xiàn)，看似已經(jīng)是存在很久的產(chǎn)品，但相信老狗可以變出新把戲(Teach an old dog new tricks)。

Klein進(jìn)一步表示，傳統(tǒng)的2D平面式存儲器走到盡頭后，3D NAND技術(shù)銜接上來，很多創(chuàng)新的架構(gòu)和介面問世，以及封裝技術(shù)和3D整合等技術(shù)讓存儲器的應(yīng)用更為多元化，還有許多新架構(gòu)存儲器的誕生如MRAM、XPoint Memory等。