摘要：全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境;群聯(lián)董事長潘健成也強調(diào)，儲存型快閃存儲(NAND Flash)因為進入3D世代，制程良率無法提升，預估將缺貨一整年。

臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM市場提出最新分析。他強調(diào)，目前主要DRAM大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。三星是這波DRAM價格上漲主要推手，目前三星逾七成產(chǎn)能已被蘋果、自家手機和大陸OPPO和Vivo包走，能供應(yīng)其他品牌或個人電腦應(yīng)用有限，加上產(chǎn)能轉(zhuǎn)進成長最快速的3D NAND Flash，雖然其他存儲廠也跟進，但制程良率都沒有三星順利。

全球存儲模組大廠金士頓預估，今年因為主要DRAM大廠沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM面臨缺貨窘境;群聯(lián)董事長潘健成也強調(diào)，儲存型快閃存儲(NAND Flash)因為進入3D世代，制程良率無法提升，預估將缺貨一整年。

由于DRAM和NAND Flash是智能手機和個人電腦必備的電子元件，兩項產(chǎn)品同步缺貨，恐將沖擊手機和個人電腦，甚至消費性電子產(chǎn)品下季出貨表現(xiàn)，尤其對二線廠沖擊會更大。

金士頓是全球存儲模組龍頭，也是全球DRAM和NAND芯片最大用戶，針對今年存儲缺貨提出預警，具指標意義。

臺灣金士頓董事長陳建華日前出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM市場提出最新分析。他強調(diào)，目前主要DRAM大廠都沒有增產(chǎn)計劃，而且將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND Flash，造成DRAM供需短缺。

根據(jù)了解，三星是這波DRAM價格上漲主要推手，目前三星逾七成產(chǎn)能已被蘋果、自家手機和大陸OPPO和Vivo包走，能供應(yīng)其他品牌或個人電腦應(yīng)用有限，加上產(chǎn)能轉(zhuǎn)進成長最快速的3D NAND Flash，雖然其他存儲廠也跟進，但制程良率都沒有三星順利，讓三星更有能力主導價格調(diào)升，彌補其Note 7手機電池出包全面停產(chǎn)的巨額損失。

除DRAM供需失衡外，相關(guān)印刷電路板材料短缺，也讓DRAM供應(yīng)模組供貨受牽制，讓DRAM缺貨問題更為嚴重。

雖然金士頓不愿評論今年DRAM漲幅，但稍早集邦出具報告，提出首季標準型DRAM漲幅逾30%，服務(wù)器用DRAM漲幅也在25%~30%，行動用DRAM漲幅約15%~20%，利基型存儲約10~15%，尤其標準型和服務(wù)器用DRAM，在淡季飆出歷年單季最大漲幅，凸顯全球DRAM供需失衡，通路商和品牌代工廠提早在淡季備貨。

過去以擁有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地說，群聯(lián)目前有50多億元的NAND Flash庫存，但只要他一開賣，這些貨應(yīng)該很快在一個月內(nèi)賣光，凸顯缺貨問題已在市場散開，并開始搶貨。

潘健成證實，此時有很多搶貨的“假性需求”出現(xiàn)，他坦承缺貨情況出乎他預料。

他分析，因印度、印尼等新興市場對于手機選購需求，從功能型手機轉(zhuǎn)為低端智能手機，低端智能手機在儲存存儲上皆采用NAND Flash，雖然容量不高，但他們一拿到手就大量拍照，然后上傳云端，推升服務(wù)器對NAND芯片需求爆增。