過去幾年，中國正在瘋狂存儲產(chǎn)業(yè)，尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后，中國的存儲產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。但就目前看來，中國存儲能否大獲成功，就得看在來年，包括Intel、三星、美光等知名的存儲產(chǎn)品供應(yīng)商是否愿意和中國簽署相關(guān)技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

對中國利好的消息是，現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現(xiàn)狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。

IC Insights的分析師指出，隨著PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、平板、智能手機(jī)和其他設(shè)備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達(dá)到了一個前所未有的階段。所以他們在“十三五規(guī)劃”里把發(fā)展存儲放在一個重要的位置。

面臨的難題

但坦白說，中國現(xiàn)在的技術(shù)儲備，是撐不起中國現(xiàn)在的存儲野心的。其實隨著后續(xù)IoT和AI應(yīng)用的大量興起，存儲需求是會大量攀升的，對于中國來說，如何迅速獲得核心技術(shù)，就成為中國存儲產(chǎn)業(yè)關(guān)注的首要問題。

據(jù)分析，中國存儲還是需要關(guān)注以下問題：

（1）中國能否自主設(shè)計和生產(chǎn)存儲芯片？

（2）如果中國不能自主設(shè)計，能否買到有相關(guān)技術(shù)的公司？

（3）如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業(yè)發(fā)起的并購，中國還可以從哪里獲得相關(guān)技術(shù)？

另外還有一個重要的問題，那就是足夠是否能夠籠絡(luò)到一批經(jīng)驗足夠豐富的存儲相關(guān)工程師，以撐起其發(fā)展的野心。

但換個角度看，存儲供應(yīng)商同樣面臨困擾（包括美國本土的）。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩，他們的未來能怎么辦？

這不僅僅是中國市場的問題，還有一點就是隨著技術(shù)的發(fā)展，研發(fā)成本支出也越來越大，對于一些稍欠缺點競爭力的廠商，他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢的中國恰好能夠解決這兩個問題。

美國硅谷一個不具名的半導(dǎo)體高層表示，如果美光和東芝不和中國達(dá)成某種合作，他們應(yīng)該是最先受到?jīng)_擊的。

另一個問題是，假設(shè)中國真的如期推出了其存儲產(chǎn)品，那么在未來幾年，全球市場勢必會面臨NAND和Flash產(chǎn)能過程的問題。

IC Insights最近的指出，2016年全球存儲的資金支出大增，但根據(jù)過去的觀察，這往往會帶來產(chǎn)能過剩和單價下探的反效果。

這也是中國攪局全球市場，帶來的另一個重要影響

縱觀全球的存儲市場，尤其是在熱門的3D NAND FLASH市場，有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長江存儲和眾多新進(jìn)的中國玩家。IC Insights也認(rèn)為未來3D NAND Flash的市場需求是非常高的，并將會持續(xù)增長的。

而在這些玩家之中，三星在其中國西安的工作制造相關(guān)的3D NAND Flash產(chǎn)品，SK海力士則在無錫生產(chǎn)DRAM，而Intel也在今年年初，把其大連工廠轉(zhuǎn)成3D NAND Flash生產(chǎn)基地。

需要提一下的是，中國的晶圓代工廠SMIC從很多年前開始，就逐步停止DRAM業(yè)務(wù)。

從現(xiàn)在看來，中國本土的存儲產(chǎn)業(yè)雖然有點弱小，但是中國大張旗鼓的建設(shè)，大基金和政府的支持，這絕對是存儲領(lǐng)域不能忽視的新興力量。

從IC Insights的報告我們得知，中國現(xiàn)有的存儲勢力包括：

（1）長江存儲，這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠已經(jīng)動工，產(chǎn)線預(yù)計2017年底或者2018年初投入使用。

（2）兆易創(chuàng)新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長鑫，專攻DRAM，預(yù)計2017年7月動工。

（3）福建晉華項目，強(qiáng)攻DRAM，由當(dāng)?shù)卣吐?lián)電攜手打造。預(yù)計2018年第三季度量產(chǎn)。

下面我們來深入了解一下：

中國存儲的重要玩家——長江存儲

長江存儲可以說是清華紫光求購兩個美國公司不成的選擇。

在2015年，清華紫光向美光科技發(fā)起了一個230億美元的收購邀約，之后又向西部數(shù)據(jù)一個38億美元的投資協(xié)議，但這兩個發(fā)起統(tǒng)統(tǒng)都被美國政府方面否定。于是紫光集團(tuán)將目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收購后者之后，成立了長江存儲。

這次的并購釋放出了一個明顯的信號，那就是無論多困難，中國也不會放棄其發(fā)展存儲的野心。

XMC本來是由楊士寧（后辭去武漢新芯CEO職位）運(yùn)營的，之前一直為Spansion（現(xiàn)已被Cypress收購）生產(chǎn)nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion攜手開發(fā)3D NAND Flash。另外，XMC同樣也為兆易創(chuàng)新生產(chǎn)Nor Flash。

新的長江存儲計劃投入240億美元，分三個階段建設(shè)一個300mm Fab，現(xiàn)在第一階段的建設(shè)已經(jīng)開工，預(yù)計總體建設(shè)工程會在2019年完成。相關(guān)人士指出，長江存儲將會在2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達(dá)到30萬片每月。而技術(shù)則可能來自于Spansion。

但對于這種說法，我是有些疑問的。

在和很多日本從業(yè)者交流過之后，他們給我的反饋就是，他們對于XMC所說的3D NAND Flash相關(guān)技術(shù)存有疑問的。他們認(rèn)為，雖然官方給出了計劃表，但實際上NAND FLASH什么時候能夠真正量產(chǎn)，都是一個未知之?dāng)?shù)。

他們更傾向于相信XMC正在加緊開發(fā)3D NAND FLASH技術(shù)。因為Spansion的3D NAND FLASH從來沒有量產(chǎn)過，很多業(yè)者認(rèn)為，他們的技術(shù)還不夠成熟。

就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術(shù)，并按時量產(chǎn)。但屆時三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash，或者將存儲方向轉(zhuǎn)向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距，但是對中國來說，也是一個大突破。

而根據(jù)行業(yè)專家觀點，長江存儲未來在存儲上的投入至少達(dá)千億規(guī)模。

怎么獲取技術(shù)？

如果真如我們所說，XMC的3D NAND Flash技術(shù)不夠可靠，那么對于長江存儲來說，可能的選擇是什么？

假設(shè)中國又不能從美國人手上買到一個存儲芯片公司（如美光），中國將怎么獲取到存儲的核心技術(shù)？JV是一個好選擇么？

換種方式，假設(shè)中國真不能買到美光，又能否獲得美光的相關(guān)Flash技術(shù)授權(quán)？市場是也有傳言中國將會和美光簽訂相關(guān)的合作協(xié)議。

IC Insight的分析師認(rèn)為，由于美國、日本和韓國等的層層阻撓，中國是不可能輕易能收購到這些國家的企業(yè)，甚至相關(guān)合作也會是困難重重，所以中國獲得先進(jìn)的NVM技術(shù)和先進(jìn)DRAM技術(shù)的過程，一定是困難重重的。

他還指出，根據(jù)存儲的發(fā)展規(guī)律，現(xiàn)在似乎也進(jìn)入了存儲產(chǎn)業(yè)的周期性轉(zhuǎn)移階段，中國能否效仿當(dāng)年的韓國從日本手上搶來存儲產(chǎn)業(yè)，將同樣的故事在韓國的身上重演，我們保留觀察。但我們眼見的就是中國臺灣在過去二十年的存儲嘗試是失敗的。

從現(xiàn)狀看來，授權(quán)應(yīng)該是中國獲得相關(guān)技術(shù)的最可行方式了。專利授權(quán)是最好的一個途徑。而根據(jù)中國過往的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗，這也是有成功經(jīng)驗可參考的。

例如美光曾經(jīng)將一些專利賣給了技術(shù)研究機(jī)構(gòu)和專利授權(quán)公司Round Rock Research LLC，他們擁有豐富的產(chǎn)品線，而產(chǎn)品布局也貫穿整個亞洲、美洲和歐洲。這是中國可以獲取專利的一個方向。

另外，美光還和很多企業(yè)有交叉授權(quán)，中間有些公司就能提供相關(guān)的授權(quán)服務(wù)。這些公司當(dāng)中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

我們認(rèn)為XMC遲早會獲得相關(guān)技術(shù)授權(quán)，區(qū)別只是時間遲早、價格高低以及合作條件的問題。

至于具體會獲得哪些技術(shù)，分析人士指出，美光的3D NAND FLASH是應(yīng)該沒問題的，但是在Intel和美光共同開發(fā)的3D Xpoint上。相關(guān)人士指出，現(xiàn)階段Intel是不會輕易點頭的。

但從某個角度看，這也并非是不可能。因為中國和這些跨國巨頭的合作非常緊密。

大家應(yīng)該還記得在2014年，Intel和紫光集團(tuán)的一個深度的合作。所以一切都是有可能的。

中國DRAM的前景又如何？

據(jù)作者了解到，按照早期規(guī)劃，長江存儲原本是想既做Flash，又做DRAM的。但經(jīng)過了幾個月的運(yùn)營，形勢逐漸明朗，長江存儲還是只專注于做NAND Flash。

但是DRAM對中國來說，同樣重要，所以中國也不會忽視。另外跟FLASH相比，DRAM的供應(yīng)商更少，且專利什么的更集中，競爭對手少，但是強(qiáng)大。

聯(lián)電和福建政府打造的晉華項目，就是瞄準(zhǔn)DRAM而去的。雙方的合作在今年五月份宣布的，這個合作是中國半導(dǎo)體建設(shè)的一個重要組成部分。

根據(jù)合作協(xié)議，聯(lián)電會在臺灣成立一個百人規(guī)模的研發(fā)團(tuán)隊，而福建晉華則提供研發(fā)所需的資金。根據(jù)分析人士透露，聯(lián)電本身對于進(jìn)入DRAM是沒有什么興趣，但他們看好和中國合作伙伴共同推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)后帶來的收益。

晉華項目將投資56.5億美元在晉江建立一個300mm晶圓廠，投入先進(jìn)存儲技術(shù)的研發(fā)。計劃2018年9月試產(chǎn)，并達(dá)到月產(chǎn)6萬片的規(guī)模。據(jù)透露，初期將會導(dǎo)入32nm制程。

韓國等著，中國來啦

業(yè)界傳言，三星、SK海力士和美光之間有一個私下協(xié)議，就是聯(lián)手阻礙中國存儲的崛起。

但是另外也有人指出，除三星外的其他供應(yīng)商對于三星長達(dá)十?dāng)?shù)年的存儲領(lǐng)先感到厭煩，他們希望聯(lián)合中國把三星拉下馬。

很多硅谷芯片專家也指出，如果在不久的將來，某個或幾個廠商和中國合作，目的就是為了打破三星的壟斷，這也不會讓人驚訝。

韓國人，中國來了，做好準(zhǔn)備吧！

但對于中國存儲來說，就算拿到了技術(shù)，未來還有很多路要走，因為他們的目標(biāo)是爬上第一陣型和領(lǐng)先廠商并駕齊驅(qū)，甚至尋機(jī)超越。

而這則是一個漫長、艱苦且耗資巨大的過程。