2016年第二季度起,存儲器行業(yè)的產品價格出現(xiàn)回升,但是行業(yè)整體仍然處于周期性底部,而在這種情況下,國內逆周期投資有望推動國內廠商成為市場內崛起的新生力量。
存儲器芯片價格上揚 中國強“芯”補短板
存儲器芯片是智能手機、平板電腦、可穿戴設備等各種智能終端產品所不可或缺的關鍵器件,主要功能是存儲程序和各種數(shù)據(jù),并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數(shù)據(jù)的存取,主要有動態(tài)隨機存取存儲器DRAM和閃存NANDFlash等類型。
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儲存器芯片價格回升
今年1月,IBS執(zhí)行長/資深分析師HandelJones原本預測今年晶片產業(yè)將衰退1.5%;而同時間另一家市場研究機構ICInsights則認為今年晶片市場將成長4%。如今,雙方的意見已逐漸靠攏,ICInsights將2016年晶片市場成長率預測值更新為1%,而2017年成長率則更正為4%。
IBS的分析師Jones表示,DRAM價格在今年下半年應該上漲了20~30%,抵銷了過去約一年來的衰退;而NAND快閃記憶體的價格也有所增加,2016年增加幅度達36.2%,讓整體NAND市場規(guī)模成長6.2%。他預期DRAM價格在2017年只會小幅下降,NAND價格則會維持在0.28~0.35美元的水準。
在其他市場,IBS預測資料中心應用半導體市場將在2016年成長12~14%,2017年的成長水準大致相同;車用半導體市場在2016年則預期將成長13.0%,2017年可成長10.5%。但Jones表示:“半導體市場在2018年持續(xù)面臨不小的風險,因為全球GDP可能會出現(xiàn)衰退;但2017年該市場有很高的可能性可取得4.6%水準的成長率。”
如何打破“缺芯之痛”
作為全球集成電路領域最大貿易逆差國,我國每年進口額超過兩千億美元,而存儲器芯片正是國內集成電路產業(yè)鏈的主要短板,長期以來被海外巨頭掌控。從今年第一季度來看,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而閃存市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。
由此可見,發(fā)展存儲器不只是滿足市場需求,也是信息安全和產業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。為打破“缺芯之痛”,國內多地開始斥巨資布局存儲器芯片研發(fā)生產領域,如湖北成立了集成電路存儲器產業(yè)投資基金,福建設立500億元投資基金支持泉州晉江存儲器產業(yè)發(fā)展,合肥、深圳等集成電路產業(yè)基地也正在籌劃設立基金。各種資金不斷地流入,為國內企業(yè)進軍存儲器芯片領域提供了堅實的發(fā)展基礎。
除了龐大的資金投入外,中國科學院微電子研究所所長葉甜春還表示,企業(yè)在當前新形勢下發(fā)展存儲器產業(yè),不應只是簡單的追趕,而應該更加注重技術和市場的創(chuàng)新;應做好長期儲備,在資金上確保持續(xù)投入;更重要的是要在立足自身市場特點的基礎上追求世界領先水平。