未來的智能手機可能附帶TB級存儲空間，根據萊斯大學表示，相關研究團隊已經花了五年時間，最終在室溫下找到制造低電壓阻性RAM(RRAM)方法，無需高溫或高壓條件。RRAM類似于目前在U盤、SSD存儲當中采用的閃存芯片，它可以無需恒定電源存儲數(shù)據，電阻式DRAM數(shù)據存儲采用電阻而不是晶體管，信息密度比閃存芯片高出很多。
RRAM層也可以層疊，以進一步增加存儲空間，目前，原型產品已經可以在郵票大小的芯片上存儲多達1TB數(shù)據。
萊斯大學研究團隊研發(fā)的方法是在一個二氧化硅層上蝕刻5納米的孔，然后將這個個二氧化硅層放置在兩個電極之間，施加電壓來沉積金屬。然后第二次充電破壞電極之間的連接，讓硅充填到間隙當中，最后通過施加低電壓脈沖來在硅間隙上存儲數(shù)據。
雖然該技術距離在智能手機上實用仍然很遠，但是已經引發(fā)內存生產商爭奪這項技術。萊斯大學教授James Tour表示，內存制造商的技術授權將在兩周內完成。
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