未來的智能手機可能附帶TB級存儲空間

責任編輯:editor03

2014-07-25 14:05:59

摘自:比特網

未來的智能手機可能附帶TB級存儲空間,根據萊斯大學表示,相關研究團隊已經花了五年時間,最終在室溫下找到制造低電壓阻性RAM(RRAM)方法,無需高溫或高壓條件。

未來的智能手機可能附帶TB級存儲空間,根據萊斯大學表示,相關研究團隊已經花了五年時間,最終在室溫下找到制造低電壓阻性RAM(RRAM)方法,無需高溫或高壓條件。RRAM類似于目前在U盤、SSD存儲當中采用的閃存芯片,它可以無需恒定電源存儲數(shù)據,電阻式DRAM數(shù)據存儲采用電阻而不是晶體管,信息密度比閃存芯片高出很多。

RRAM層也可以層疊,以進一步增加存儲空間,目前,原型產品已經可以在郵票大小的芯片上存儲多達1TB數(shù)據。

萊斯大學研究團隊研發(fā)的方法是在一個二氧化硅層上蝕刻5納米的孔,然后將這個個二氧化硅層放置在兩個電極之間,施加電壓來沉積金屬。然后第二次充電破壞電極之間的連接,讓硅充填到間隙當中,最后通過施加低電壓脈沖來在硅間隙上存儲數(shù)據。

雖然該技術距離在智能手機上實用仍然很遠,但是已經引發(fā)內存生產商爭奪這項技術。萊斯大學教授James Tour表示,內存制造商的技術授權將在兩周內完成。

鏈接已復制,快去分享吧

企業(yè)網版權所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6京公網安備 11010502049343號