日本、美國(guó)的20多家芯片公司組成研發(fā)聯(lián)盟，將共同開發(fā)下一代“磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”(MRAM)，有望替代目前的存儲(chǔ)方案——DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))。

據(jù)悉，包括東京電子(Tokyo Electron)、信越化學(xué)工業(yè)(Shin-Etsu Chemical)、瑞薩電子(Renesas Electronics)、日立等日本公司，以及美國(guó)芯片巨頭美光科技在內(nèi)的20多家芯片廠商，計(jì)劃在明年2月份啟動(dòng)一項(xiàng)MRAM存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。上述公司將派幾十名研究人員進(jìn)駐日本東北大學(xué)開展這項(xiàng)新技術(shù)的研發(fā)。

與DRAM存儲(chǔ)技術(shù)相比，MRAM耗電量?jī)H為DRAM三分之一，但讀寫速度卻達(dá)到前者十倍。從理論上來講，MRAM存儲(chǔ)技術(shù)優(yōu)勢(shì)使其更適合于應(yīng)用到下一代智能手機(jī)和平板電腦。不過是否真正得以實(shí)現(xiàn)還有待進(jìn)一步觀察。報(bào)道稱，預(yù)計(jì)MRAM存儲(chǔ)技術(shù)被大規(guī)模應(yīng)用還需等到2018年。