三星開發(fā)出世界首個(gè)10nano的存儲(chǔ)器

責(zé)任編輯:vivian

2011-11-14 08:57:32

摘自:中央日?qǐng)?bào)

于本月11日閉幕的、以三星集團(tuán)內(nèi)部的研究團(tuán)隊(duì)為對(duì)象舉行的“2011三星技術(shù)展”上展示了世界首個(gè)10nano級(jí)的Nand Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品,這是由三星綜合技術(shù)院開發(fā)的試制品。

三星電子再次超越了半導(dǎo)體開發(fā)的技術(shù)極限。

于本月11日閉幕的、以三星集團(tuán)內(nèi)部的研究團(tuán)隊(duì)為對(duì)象舉行的“2011三星技術(shù)展”上展示了世界首個(gè)10nano級(jí)的Nand Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品,這是由三星綜合技術(shù)院開發(fā)的試制品。

三星電子的有關(guān)人士補(bǔ)充道“尚處于測(cè)試芯片階段,量產(chǎn)日期難以確定。請(qǐng)從掌握技術(shù)層面來考慮”,“努力準(zhǔn)備的話,明年上半年有可能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)”。

今年5月,三星電子量產(chǎn)了以20nano級(jí)的Nand Flash為基礎(chǔ)的Micro SD卡,這屬世界首次,但是10nano級(jí)產(chǎn)品的量產(chǎn)卻是另外一個(gè)不同級(jí)別的問題。10nano級(jí)的產(chǎn)品一直被認(rèn)為是半導(dǎo)體技術(shù)的“物理極限”,10nano級(jí)的半導(dǎo)體電路意味著線寬(電線間距)為10nanometer。業(yè)界普遍認(rèn)為,通過改善單元結(jié)構(gòu)或采用新材料等方法可以達(dá)到20nano級(jí),但這與細(xì)化到10nano級(jí)所需的技術(shù)的層次是不同的。如果想要超越技術(shù)的極限,需要巨額的投資。有分析認(rèn)為,三星電子通過果敢地推進(jìn)該項(xiàng)技術(shù)的研發(fā),確保了繼續(xù)保持與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手間技術(shù)差距的跳板。越是細(xì)化nano工程,半導(dǎo)體芯片就會(huì)變得越小, 晶圓(Wafer)的單位產(chǎn)量也會(huì)增加,而且因?yàn)橹圃斐杀镜慕档?,?jìng)爭(zhēng)力也會(huì)大幅提升。

另一方面,三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部社長(zhǎng)全東守最近和記者見面時(shí)表示“如果變換思路,就有可能超越技術(shù)極限。通過不斷創(chuàng)新,我們能夠繼續(xù)發(fā)展到10nano以下”。

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