三星電子再次超越了半導(dǎo)體開發(fā)的技術(shù)極限。

于本月11日閉幕的、以三星集團(tuán)內(nèi)部的研究團(tuán)隊(duì)為對(duì)象舉行的“2011三星技術(shù)展”上展示了世界首個(gè)10nano級(jí)的Nand Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，這是由三星綜合技術(shù)院開發(fā)的試制品。

三星電子的有關(guān)人士補(bǔ)充道“尚處于測(cè)試芯片階段，量產(chǎn)日期難以確定。請(qǐng)從掌握技術(shù)層面來考慮”，“努力準(zhǔn)備的話，明年上半年有可能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)”。

今年5月，三星電子量產(chǎn)了以20nano級(jí)的Nand Flash為基礎(chǔ)的Micro SD卡，這屬世界首次，但是10nano級(jí)產(chǎn)品的量產(chǎn)卻是另外一個(gè)不同級(jí)別的問題。10nano級(jí)的產(chǎn)品一直被認(rèn)為是半導(dǎo)體技術(shù)的“物理極限”，10nano級(jí)的半導(dǎo)體電路意味著線寬(電線間距)為10nanometer。業(yè)界普遍認(rèn)為，通過改善單元結(jié)構(gòu)或采用新材料等方法可以達(dá)到20nano級(jí)，但這與細(xì)化到10nano級(jí)所需的技術(shù)的層次是不同的。如果想要超越技術(shù)的極限，需要巨額的投資。有分析認(rèn)為，三星電子通過果敢地推進(jìn)該項(xiàng)技術(shù)的研發(fā)，確保了繼續(xù)保持與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手間技術(shù)差距的跳板。越是細(xì)化nano工程，半導(dǎo)體芯片就會(huì)變得越小， 晶圓(Wafer)的單位產(chǎn)量也會(huì)增加，而且因?yàn)橹圃斐杀镜慕档?，?jìng)爭(zhēng)力也會(huì)大幅提升。

另一方面，三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部社長(zhǎng)全東守最近和記者見面時(shí)表示“如果變換思路，就有可能超越技術(shù)極限。通過不斷創(chuàng)新，我們能夠繼續(xù)發(fā)展到10nano以下”。