固態(tài)存儲器在嵌入式系統(tǒng)的應用逐漸普及，成為推動物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與智能城市一股重要的動力。最新的NVMe與NVMe over Fabrics (NVMe-oF)技術(shù)在固態(tài)儲存系統(tǒng)的應用備受看好。另一方面，DIMM也開始取代DRAM產(chǎn)品被使用在企業(yè)儲存。

據(jù)富比士(Forbes)報導，各大Flash存儲器廠商都在2017年擴大了64層3D NAND存儲器的出貨量，而128層的3D NAND預計在2020年就可問世。2018年3D NAND將恢復供應量成為市場大宗，但由于市場需求居高不下，2019年以前3D NAND的價格可能都不會回到2016年的水準。

有分析師預測2017年到2018年間，NAND每TB的價格將可下降20%至30%，SSD將超越智能手機，成為最多消費者接觸的NAND Flash產(chǎn)品。

企業(yè)SSD在2017年時取得了150%的出貨容量成長。隨著NAND Flash價格下滑，企業(yè)市場對NAND Flash的需求可望出現(xiàn)顯著成長，而NAND Flash也將快速成為大型儲存陣列的主要儲存手段。

云端以及數(shù)據(jù)中心儲存的崛起，讓NVM Express (NVMe)大為普及。2014年到2016年間，NVMe標準加入了頻外管理(out of band management)介面規(guī)格NVMe-oF，以便將NVMe引進乙太網(wǎng)絡(luò)、Fibre Channel、Infiniband等架構(gòu)。2018年及2019年，NVMe規(guī)格還可能延伸到Ethernet TCP/IP網(wǎng)絡(luò)，讓一般IP網(wǎng)絡(luò)也能與NVMe儲存系統(tǒng)整合。

IDC預估到了2020年，NVMe企業(yè)裝置營收將可占企業(yè)儲存裝置總營收的20%。如果計入NVMe在客戶端及嵌入式裝置的使用，比例還會更高。

除了NVMe以外，以DIMM為基礎(chǔ)的NAND Flash存儲器匯流排裝置，以及其他非揮發(fā)性固態(tài)儲存技術(shù)，也將在企業(yè)儲存市場發(fā)揮相當大的影響力。

新的DIMM產(chǎn)品，包括Flash存儲器、英特爾(Intel)、美光所共同研發(fā)的3D XPoint存儲器，以及其他可變電阻式存儲器(ReRAM)等，已在逐漸取代DRAM?；叟c科技(HPE)已將DIMM內(nèi)的非揮發(fā)性存儲器使用于存儲器內(nèi)運算發(fā)展，借此將處理裝置往數(shù)據(jù)移動，而不必再將大量數(shù)據(jù)移往處理器。

Seagate已發(fā)表了一款以磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)技術(shù)為基礎(chǔ)的DIMM。2018年預計還會有更多廠商推出非揮發(fā)性存儲器的DIMM產(chǎn)品。

2017年英特爾的Optane NVMe SSD并未如預期受到企業(yè)市場青睞。2018年或許還可聽到更多3D XPoint產(chǎn)品相關(guān)消息。

MRAM芯片容量可望在2018年進一步提升，價格壓低后將更有能力與SRAM、DRAM競爭。GlobalFoundries已在許多產(chǎn)品中使用了嵌入式MRAM，三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)等廠商也宣布將在2018年推出MRAM產(chǎn)品。

NAND Flash與其他嵌入式非揮發(fā)性固態(tài)存儲器，將在物聯(lián)網(wǎng)等依賴網(wǎng)絡(luò)邊緣連線的應用扮演重要角色，同時也將成為云端的主要儲存手段。