不是很懂這家公司，曾經(jīng)的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5內(nèi)存和HBM3存儲的技術(shù)參數(shù)。德媒ComputerBase報(bào)道稱，Rambus的規(guī)劃顯示，HBM3基于7nm工藝制造，帶寬高達(dá)4GT/s，封裝架構(gòu)更加復(fù)雜。按照單芯片1024bit位寬，速度就可以實(shí)現(xiàn)512GB/s到1TB/s，也就是比HBM2直接翻了兩番。

至于DDR5內(nèi)存，設(shè)計(jì)目標(biāo)I/O帶寬6.4Gbps，總帶寬51.2GB/s，頻率4800~6400MHz，預(yù)取位數(shù)16bit，均比DDR4翻番。

其實(shí)在今年9月，Rambus就號稱在實(shí)驗(yàn)室搞定了第一塊完整工況的DDR5驗(yàn)證產(chǎn)品，電壓還只有1.1V。

然而，必須指出的是，至少在整個(gè)2018年，HBM3/DDR5的影子都不會見到，最快最快也需要2019年。

Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子，那就不得而知了。只希望這種技術(shù)出來以后，不要再憑借專利去到處“咬人”，而且當(dāng)年Intel因?yàn)橛采蟁ambus RDRAM被結(jié)結(jié)實(shí)實(shí)坑了一把。