與英特爾連同美光公司打造的3D XPoint相比，韓國閃存與DRAM芯片制造商三星的Z-NAND究竟表現(xiàn)如何？

Z-NAND為三星打造的優(yōu)化型閃存技術(shù)，在本質(zhì)上屬于SLC（單層單元）配合定制化控制器共同構(gòu)成的高速存儲方案。

Optane的出現(xiàn)令Z-NAND無法繼續(xù)保持沉默，而這場廣泛的新一代存儲技術(shù)競賽也由此拉開序幕。

XPoint超越NAND閃存的優(yōu)勢之一，在于其擁有更低的訪問延遲——讀取與寫入延遲皆為10微秒，相比之下NVMe SSD的讀取延遲則高達(dá)110至120微秒。將延遲降低至十分之一自然是一項非常突出的競爭優(yōu)勢。

下面我們通過表格對Optane P4800X驅(qū)動器與三星的Z-NAND SZ985作出比較，且皆選擇二者的插入卡形式以及類似的容量水平：

SZ985的使用壽命結(jié)果計算自其每天30次全盤寫入以及假定五年的整體質(zhì)保周期。

相較于P4800X，這款三星驅(qū)動器擁有更高的隨機(jī)讀取IOPS，而隨機(jī)寫入IOPS的比較優(yōu)勢甚至更為明顯。事實上，其在連續(xù)讀取/寫入帶寬方面甚至達(dá)到了Optane這位對手的兩倍半到三倍。

　　三星SZ985驅(qū)動器

如果我們的計算結(jié)果無誤，那么二者的使用壽命基本相當(dāng)，Optane的延遲水平略低于Z-NAND——但二者的差距并不算大。

Z-NAND驅(qū)動器的最差一項為20/16微秒讀取/寫入延遲，但在一般場景當(dāng)中，這一水平仍然遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于傳統(tǒng)NAND閃存的110到120微秒。

三星公司建議將這款產(chǎn)品用于加速MongiDB等數(shù)據(jù)庫的IO。而在對處家RocksDB鍵值存儲庫（屬于MongoDB的一套后端）進(jìn)行測試時，三星表示相較于原有三星PM1725a SSD（一款48層3D TLC NAND產(chǎn)品），其能夠?qū)?shù)據(jù)吞吐量提升2倍，延遲則縮短至原本的一半。

而在被用于緩存Memcached與Fatcache時，其能夠提升1.6倍的數(shù)據(jù)吞吐量提升，同樣顯著優(yōu)于PM1725a。

這款產(chǎn)品未來能否獲得成功，在很大程度上取決于其實際售價以及可用的軟件支持選項。如果三星公司能夠充分拉開與Optane之間的價格差距，提供可靠的產(chǎn)品供應(yīng)并展現(xiàn)出良好的系統(tǒng)軟件支持能力，那么其很可能大量奪取Optane的市場份額。根據(jù)我們的猜測，Z-NAND DIMM也可能成為三星公司新產(chǎn)品的理想發(fā)展方向——當(dāng)然，前提是其能夠獲得服務(wù)器OEM廠商的支持，同時有能力搞定操作系統(tǒng)與系統(tǒng)軟件方面的問題。

NetApp公司的Plexistor服務(wù)器存儲級內(nèi)存（簡稱SCM）加速項目目前正在測試中使用Optane與Z-NAND存儲介質(zhì)。英特爾/美光與三星之間正爆發(fā)一輪新的競爭，而結(jié)果目前尚無法斷言。