根據(jù)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange) 調(diào)查，由于DRAM 廠近兩年來(lái)產(chǎn)能擴(kuò)張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM 供給成長(zhǎng)明顯較往年放緩，配合下半年終端市場(chǎng)消費(fèi)旺季，DRAM 合約價(jià)自去年中開(kāi)啟漲價(jià)序幕;但三星傳出在考慮提高競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入門(mén)檻下，可能擴(kuò)大DRAM 產(chǎn)能，此舉恐將改變DRAM 供給緊俏格局。

DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷指出，以主流標(biāo)準(zhǔn)型記憶體模組(DDR4 4GB) 合約價(jià)為例，從去年中開(kāi)始起漲，由當(dāng)時(shí)的DDR4 4GB 13 美元均價(jià)拉升至今年第4 季合約價(jià)30.5 美元，報(bào)價(jià)連續(xù)6 個(gè)季度向上，合計(jì)漲幅超過(guò)130%，帶動(dòng)相關(guān)DRAM 大廠獲利能力大幅提升。

截至目前為止，三星第2 季度DRAM 事業(yè)營(yíng)業(yè)利益率來(lái)到59%，SK 海力士也有54% 的表現(xiàn)，美光達(dá)44%。展望第4 季，DRAM 合約價(jià)持續(xù)上漲，各家廠商的獲利能力可望繼續(xù)攀升。

因DRAM 產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入寡占格局，理論上廠商對(duì)高獲利的運(yùn)作模式是樂(lè)觀其成，但在連續(xù)數(shù)季記憶體價(jià)格上升的帶動(dòng)下，SK 海力士、美光都累積許多在手現(xiàn)金。

有了豐沛的資源，SK 海力士將在年底進(jìn)行18nm 制程轉(zhuǎn)進(jìn)，無(wú)錫二廠也將在明年興建，預(yù)計(jì)2019 年產(chǎn)出;美光借著股價(jià)水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資，代表未來(lái)在蓋新廠、擴(kuò)張產(chǎn)能與制程升級(jí)上預(yù)做準(zhǔn)備，此舉無(wú)疑激起三星的警戒心，三星開(kāi)始思索DRAM 擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

三星可能采取的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，除是因應(yīng)供給吃緊狀況，最重要的是藉由提高DRAM 產(chǎn)出量，壓抑記憶體價(jià)格上漲幅度。雖然短期內(nèi)的高資本支出將帶來(lái)折舊費(fèi)用的提升，并導(dǎo)致獲利能力下滑，但三星著眼的是長(zhǎng)期的產(chǎn)業(yè)布局與保有其在DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)先地位，及與其他DRAM 大廠維持1- 2 年以上的技術(shù)差距。

此外，明年可說(shuō)是中國(guó)記憶體發(fā)展的元年，三星透過(guò)壓低DRAM 或是NAND 的價(jià)格，將能提升中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)者的進(jìn)入門(mén)檻，并使競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手虧損擴(kuò)大、增加發(fā)展難度并減緩其開(kāi)發(fā)速度。

DRAMeXchange 指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND 的產(chǎn)線(xiàn)，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，并全數(shù)采用18nm 制程。加上原有Line17 還有部份空間可以擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)三星最多可將2018 年DRAM 產(chǎn)出量達(dá)到80-100K，也代表三星的DRAM 產(chǎn)能可能由2017 年底的390K 一口氣逼近至500K 的水準(zhǔn)，將帶動(dòng)三星明年位元產(chǎn)出供給量由原本預(yù)估的18% 成長(zhǎng)上升至23%。

從整體DRAM 供給來(lái)看，2018 年供給年成長(zhǎng)率將來(lái)到22.5%，高于今年的19.5%，也就是說(shuō)，明年DRAM 供需缺口將可能被彌平，預(yù)期SK 海力士與美光將加入軍備競(jìng)賽以鞏固市占可能性高，為DRAM 市場(chǎng)增添新的變數(shù)。

DRAMeXchange 認(rèn)為，三星此舉將可能改變DRAM 市場(chǎng)供給緊俏格局，只是修正目前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的超額利潤(rùn)，降為較合理獲利結(jié)構(gòu);隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash 轉(zhuǎn)往DRAM，將可望降低明年NAND Flash 供過(guò)于求的情形，進(jìn)而減緩整體NAND Flash 平均售價(jià)(ASP) 下滑的速度。

DRAMeXchange 強(qiáng)調(diào)，三星擴(kuò)廠或許對(duì)2018 年DRAM 市場(chǎng)將帶來(lái)部分沖擊，但就整體記憶體產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展來(lái)看未必是負(fù)面訊息。