北京時(shí)間7月6日晚間消息，來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果公司(以下簡(jiǎn)稱“蘋果”)新一代智能手機(jī)iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8正遭遇NAND閃存芯片供應(yīng)不足的問(wèn)題。

自iPhone 7開始，蘋果引入了新型閃存3D NAND閃存。這種新型閃存由英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存的限制。

但來(lái)自臺(tái)灣地區(qū)的行業(yè)消息稱，蘋果的3D NAND閃存供應(yīng)商SK Hynix和東芝的成品率均較低，導(dǎo)致產(chǎn)量較之前的預(yù)期低30%。

為了解決該問(wèn)題，蘋果不得不將三星納入到閃存供應(yīng)商之列。與SK Hynix和東芝相比，三星的3D NAND閃存成品率比較穩(wěn)定，因此產(chǎn)量有保證。

在iPhone 7中，蘋果使用了48層NAND閃存。有消息稱， iPhone 8的NAND閃存將達(dá)到64層，意味著同等空間下將能存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)額。

凱基證券(KGI)分析師郭明錤(Ming-Chi Kuo)本周一曾表示，今年iPhone 7s、iPhone 7s Plus和iPhone 8將配備64GB和256GB兩種存儲(chǔ)空間選項(xiàng)。

由于財(cái)大氣粗，蘋果可以確保自己的3D NAND閃存供應(yīng)量。而其他手機(jī)廠商就沒(méi)有這么幸運(yùn)了，必將受到供應(yīng)量有限的影響。據(jù)預(yù)計(jì)，3D NAND供應(yīng)問(wèn)題要到2018年才能得到緩解。