三星公司表示，繼東芝與西部數(shù)據(jù)發(fā)布64層NAND驅(qū)動器之后，其也將推出自家64層NAND驅(qū)動器產(chǎn)品。美光與其閃存代工合作伙伴英特爾亦有計劃推出自己的64層產(chǎn)品。

三星的V-NAND三層單元（簡稱TLC）芯片擁有256 Gbit存儲容量，且將被應(yīng)用于移動、PC以及服務(wù)器等多個領(lǐng)域。

東芝與西部數(shù)據(jù)雙方最近分別發(fā)布了其64層3D芯片SSD，其中東芝的XG5以NVMe M.2形式提供256 GB、512 GB以及1 TB存儲容量。這款TLC芯片還配備有一套SLC（即單層單元）緩存。

西部數(shù)據(jù)的藍盤SSD則分別提供2.5英寸與M.2兩種尺寸形式，采用SATA接口并提供250 GB、500 GB、1 TB以及2 TB幾種容量選項。

美光與英特爾雙方即將推出的SSD產(chǎn)品也將采用64層NAND芯片技術(shù)。

三星公司將在今年晚些時候推出其采用64層芯片的嵌入式UFS（即通用閃存存儲）內(nèi)存、品牌SSD以及外部存儲卡。UFS內(nèi)存可用于智能手機、數(shù)碼相機以及其它類似設(shè)備。

三星公司利用其256 Gbit 64層芯片打造出各款產(chǎn)品

三星方面宣稱，截至今年年底，64層芯片將在其月度NAND閃存生產(chǎn)總量當(dāng)中占據(jù)超過一半比例。該公司期待著盡快邁入TB級別V-NAND時代，這意味著芯片存儲容量將提升4倍。具體來講，三星公司需要提升堆疊層數(shù)以及/或者進一步縮小單元尺寸——亦可能二者兼而有之。

三星公司表示，其256 Gbit芯片擁有約853億個存儲單元，外加數(shù)十億個貫穿“數(shù)十個單元陣列”的通孔。其生產(chǎn)技術(shù)難點在于確保這些通孔擁有均勻的開關(guān)，同時“適當(dāng)分散各個層的重量以提高通孔穩(wěn)定性”。

作為第三大難題，三星公司還需要均勻地“利用原子級別厚度的非導(dǎo)電物質(zhì)覆蓋每個通孔的內(nèi)壁。”隨著芯片內(nèi)堆疊層數(shù)的不斷提升，以上難點將帶來更為嚴峻的制造挑戰(zhàn)。

三星公司目前在芯片容量與每層容量方面皆落后于其它競爭對手，因此可以想見其必然將奮起直追以縮小差距。