去年11月，SK海力士正式推出了自家首顆48層3D NAND閃存芯片，標(biāo)志著3D NAND技術(shù)的一次飛躍，但時(shí)隔5個(gè)月，海力士再次打破紀(jì)錄，推出了世界首款基于TLC陣列的72層3D NAND芯片，超過三星、美光及東芝新一代64層3D NAND閃存。
相比于海力士之前推出的48層3D NAND芯片，72層芯片將單元數(shù)量提升了1.5倍，生產(chǎn)效率增加了30%。此外，由于加入了高速電路設(shè)計(jì)，72層芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度達(dá)到了48芯片的2倍，讀寫性能劇增20%！
海力士表示，72層3D NAND芯片將于今年下半年大規(guī)模生產(chǎn)，以滿足高性能固態(tài)硬盤和智能手機(jī)設(shè)備的需求。
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