速度再漲2成 海力士發(fā)布首款72層3D閃存

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作者:趙鑫喆

2017-04-12 11:42:34

摘自:中關(guān)村在線

去年11月,SK海力士正式推出了自家首顆48層3D NAND閃存芯片,標(biāo)志著3D NAND技術(shù)的一次飛躍,但時(shí)隔5個(gè)月,海力士再次打破紀(jì)錄,推出了世界首款基于TLC陣列的72層3D NAND芯片

去年11月,SK海力士正式推出了自家首顆48層3D NAND閃存芯片,標(biāo)志著3D NAND技術(shù)的一次飛躍,但時(shí)隔5個(gè)月,海力士再次打破紀(jì)錄,推出了世界首款基于TLC陣列的72層3D NAND芯片,超過三星、美光及東芝新一代64層3D NAND閃存。

相比于海力士之前推出的48層3D NAND芯片,72層芯片將單元數(shù)量提升了1.5倍,生產(chǎn)效率增加了30%。此外,由于加入了高速電路設(shè)計(jì),72層芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度達(dá)到了48芯片的2倍,讀寫性能劇增20%!

相比于海力士之前推出的48層3D NAND芯片,72層芯片將單元數(shù)量提升了1.5倍,生產(chǎn)效率增加了30%。此外,由于加入了高速電路設(shè)計(jì),72層芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度達(dá)到了48芯片的2倍,讀寫性能劇增20%!

海力士表示,72層3D NAND芯片將于今年下半年大規(guī)模生產(chǎn),以滿足高性能固態(tài)硬盤和智能手機(jī)設(shè)備的需求。

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