當前已經(jīng)有不少傳聞稱三星Galaxy S8將內(nèi)置8GB內(nèi)存，現(xiàn)在韓國第二大芯片廠商SK海力士公布了全球最高密度的8GB LPDDR4X移動內(nèi)存芯片，進一步佐證了該傳聞的可靠性。
SK海力士表示，這款芯片使用雙通道技術(shù)連接兩個堆疊在四層當中的8GB DRAM芯片，在64-bit I/O接口下的數(shù)據(jù)傳輸率高達34.1GB/s。另外SK海力士還表示，8GB LPDDR4X的能效比此前的8GB LPDDR4提高了20%，封裝面積也縮小了超過30%，如今只有12×12.7毫米，厚度則不到1毫米。SK海力士一直是移動內(nèi)存芯片的開拓者，比如其在2013年舊發(fā)布了首款1GB DDR3移動內(nèi)存芯片。
消息人士稱，LPDDR4X內(nèi)存芯片將在今年擁有很大的市場需求，很多旗艦手機都將采用該芯片，比如三星Galaxy S8和蘋果iPhone 8都有可能。(via: Phone Arena)
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