尼古拉斯公司總經(jīng)理Aaron Rakers在本屆SC16大會上造訪了希捷公司展臺，并注意到希捷方面提出其HAMR（即熱輔助磁記錄）技術(shù)領(lǐng)先西部數(shù)據(jù)與東芝一年的說法。
據(jù)了解，希捷計劃于2018年推出的HAMR驅(qū)動器預(yù)計將為一塊16 TB存儲容量的3.5英寸產(chǎn)品，其中包含8塊存儲碟片與16個磁頭。其很可能將采用氦氣填充式外殼設(shè)計。
希捷公司認(rèn)為，其完全有能力憑借著HAMR驅(qū)動器將每GB使用成本降低至0.02美元以下，這一成本水平即使與QLC（即四層單元）閃存配合3D NAND制程相比仍然具備優(yōu)勢，后者的存儲成本將高于每GB 0.09美元。
目前的SAS SSD產(chǎn)品每GB存儲成本約為0.55美元，而3D TLC（即三層單元）閃存的存儲成本則在每GB 0.20到0.30美元之間。
希捷公司認(rèn)為，NVMe閃存驅(qū)動器一直要到PCIe gen 4.0時代才會全面起飛，其能夠在速度上達(dá)到gen 3 PCIe的兩倍，且預(yù)計將在2017-2018年推出。
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