首個(gè)DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問世：瞄準(zhǔn)Intel下一代平臺(tái)

責(zé)任編輯：editor007

2016-11-14 21:40:34

摘自：快科技

一直致力于工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品，主要適配即將于2017年發(fā)布的Intel Purley平臺(tái)。InnoDisk DDR4-2666 RDIMM服務(wù)器內(nèi)存工作電壓為1 2V

一直致力于工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)設(shè)備研發(fā)的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品，主要適配即將于2017年發(fā)布的Intel Purley平臺(tái)。InnoDisk嵌入式DRAM業(yè)務(wù)副總裁Samson Chang表示，此次推出的DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存是世界上首個(gè)RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品，其擁有2666MT/s的默認(rèn)速度，可以充分發(fā)揮Intel Purley平臺(tái)的性能。

InnoDisk DDR4-2666 RDIMM服務(wù)器內(nèi)存工作電壓為1.2V，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，目前擁有8GB、16GB、21GB三種容量版本，預(yù)計(jì)2017年第一季度將推出更大容量的型號(hào)

鏈接已復(fù)制，快去分享吧

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號(hào)-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號(hào)