今天，鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。
此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200Mhz起步，主流內(nèi)存頻率可達6400Mhz。
同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品，并將在2019年實現(xiàn)正式量產(chǎn)。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計，DDR5內(nèi)存的普及應(yīng)該會在2020年來臨，所以想要跳過DDR4內(nèi)存的朋友還要等待一段時間。
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