儲存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開端

責(zé)任編輯:editor005

2016-08-17 15:13:02

摘自:OFweek電子工程網(wǎng)

在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NANDFlash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。SSD可以達(dá)成許多硬碟無法完成的事,而IBM、英特爾和美光開發(fā)的新技術(shù),則宣稱可以消除儲存來源和存儲器之間的界線。

在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NANDFlash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據(jù)報導(dǎo),NANDFlash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置,后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器,便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。

由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3DXPoint技術(shù),以及IBM根據(jù)相變化存儲器(PhaseChangeMemory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置,在速度、耐用性和重復(fù)讀寫的次數(shù)的表現(xiàn)都比目前使用的NANDFlash更佳。

3DXPoint開發(fā)人員表示,新儲存裝置的速度和耐用度可達(dá)到NANDFlash的1,000倍,IBM則表示其開發(fā)的PCM在讀取和寫入速度方面比NANDFlash快上數(shù)百倍,預(yù)計可進(jìn)行1,000萬次讀取循環(huán)。

雖然NANDFlash開創(chuàng)了固態(tài)硬碟(SSD)的時代,但在新技術(shù)不斷出現(xiàn)的情況下,或許這只是挑戰(zhàn)傳統(tǒng)存儲器和儲存裝置概念的開端而已。不論從哪一個角度來看,這些新技術(shù)都讓NANDFlash看起來像是老舊技術(shù)。對于還在摸索NAND效能的使用者來說,很難想像這些數(shù)據(jù)代表的真正含意。

這些新儲存裝置與SSD基本上完全不同,而且更接近可永久儲存的存儲器。兩者之間的明顯的差異也反映在名稱上,外界將這些新裝置稱為儲存級存儲器(Storage-classmemory),聽起來雖然奇怪,但也算是相當(dāng)公正且適當(dāng)?shù)拿枋觥?/p>

SSD可以達(dá)成許多硬碟無法完成的事,而IBM、英特爾和美光開發(fā)的新技術(shù),則宣稱可以消除儲存來源和存儲器之間的界線。以效能來看,這些新興技術(shù)允許存儲器分層與擴(kuò)張,除了可以增加存儲器的處理能力與資源,還可減少伺服器自永久儲存裝置存取資料的次數(shù)。

有趣的是,連傳統(tǒng)硬碟(HDD)制造商也可受惠于SSD的普及,因為所有資料都必須有棲身之所。盡管近來推出的高容量NANDFlash裝置可以滿足需要,但是儲存空間超大的硬碟還是有價格方面的優(yōu)勢。

鏈接已復(fù)制,快去分享吧

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號