在閃存顆粒領(lǐng)域，三星數(shù)年前推出的3D-NAND技術(shù)真可謂一騎絕塵，不僅讓TLC閃存顆粒正式登陸固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)，并極大的加速了固態(tài)硬盤(pán)的普及。
如今，閃存顆粒行業(yè)另一個(gè)巨頭，東芝存儲(chǔ)也發(fā)布了新的基于3D堆疊的TLC 閃存顆粒，不過(guò)不是裝載在常見(jiàn)的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)上，而是引用于基于BGA整合封裝的，用于超極本或是特殊場(chǎng)合的緊湊設(shè)備中。
此款基于BGA整合封裝的固態(tài)硬盤(pán)，最大特色就是由傳統(tǒng)的平面堆疊的閃存顆粒升級(jí)為立體的3D堆疊，不僅能夠節(jié)省閃存顆粒的體積，還能提升單顆閃存顆粒的容量。
據(jù)悉，此款固態(tài)硬盤(pán)由于采用了類似于三星的3D-NAND技術(shù)，使得閃存顆粒最大的容量到達(dá)512GB，而機(jī)身厚度僅為1.6毫克，并支持最新的NVMe協(xié)議。
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