全閃存陣列廠商Kaminario開展業(yè)務(wù)比Pure Storage早一年時(shí)間，但無(wú)論是在銷售、規(guī)模還是資金方面都有一些落后于Pure Storage。不過，Kaminario已經(jīng)開始闡述一些會(huì)大大加快其發(fā)展的技術(shù)愿景。

我們不清楚Kaminario從K2縱向擴(kuò)展和橫向擴(kuò)展陣列（基于k模塊）的收入有多少，IDC告訴我們："Kaminario的收入規(guī)模要大于Violin，但是我們不能公開這個(gè)數(shù)字。"Kaminario仍然是一家私人公司，不希望公開這個(gè)數(shù)據(jù)。Violin在全閃存陣列市場(chǎng)逐漸落后，產(chǎn)品和服務(wù)的年運(yùn)營(yíng)最新收入似乎大約是每年4000萬(wàn)美元。

IDC把Kaminario列在"其他"類別下，這個(gè)類別在2016年第一季度的收入規(guī)模是3.684億美元。而這個(gè)類別下收入最低的廠商Oracle是340萬(wàn)美元，其實(shí)是富士通780萬(wàn)美元，華為160萬(wàn)美元，NetApp是3.284億美元，Pure是3.411億美元。據(jù)分析，Kaminario的收入比Violin多1000萬(wàn)美元，可能接近5000萬(wàn)美元。

非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域正在發(fā)生技術(shù)創(chuàng)新的復(fù)興，這給Kaminario提供了一個(gè)機(jī)會(huì)，給自己一個(gè)獨(dú)特的技術(shù)愿景，顯著改善客戶的全閃存陣列體驗(yàn)。

Kaminario首席技術(shù)官Shachar Fienbli認(rèn)為有5個(gè)非易失性內(nèi)存趨勢(shì)將推動(dòng)存儲(chǔ)的未來(lái)：

3D NAND

非易失性（存儲(chǔ)）內(nèi)存 - 3D XPoint, ReRAM

NVMe

NVMe Fabric

NVMe網(wǎng)絡(luò)機(jī)架

他還對(duì)這些變化將如何帶來(lái)影響做出了一些假設(shè)：

3D NAND仍然占據(jù)主導(dǎo)地位。NAND密度成本將繼續(xù)下去。在相同的制程工藝基礎(chǔ)上增加更多層，這將大幅度增加錯(cuò)誤檢查和糾錯(cuò)能力，意味著耐用性會(huì)下降。Fienbllit斷言，NAND將仍然是占據(jù)主導(dǎo)的存儲(chǔ)介質(zhì)，并將是在數(shù)據(jù)中心內(nèi)取代HDD的商品曲線。

3D XPoint、ReRAM可能還有其他類似技術(shù)將改善NVM性能，但是NVM價(jià)格將比閃存更加接近DRAM。而且，3D XPoint DIMM接近1微秒的性能要遠(yuǎn)快于閃存，但是仍然和DRAM有一些差距。所以這些新的NVM技術(shù)太貴不足以取代NAND，無(wú)法被廣泛采用，至少在5年內(nèi)還不會(huì)取代NAND。

NVMe遠(yuǎn)比SCSI更有效，將很快取代SATA作為直連的方式。言下之意它對(duì)全閃存陣列的好處比較少，因?yàn)檫@些系統(tǒng)已經(jīng)聚集了多個(gè)SSD的性能。控制器是瓶頸，因此減少?gòu)拇疟P到控制器的延遲并不是很有吸引力。

NVMe Fabrics擴(kuò)展了本地NVMe接口相比框架的效率。Shachar Fienbli認(rèn)為ROCE RDMA over 100GbitE相比其他選擇會(huì)勝出，尤其是RDMA over Fibre Channel，但是客戶采用率將相對(duì)較低。

他認(rèn)為NVMe機(jī)架即將到來(lái)。這是配置了NVMe SSD和RDMA網(wǎng)絡(luò)接入的機(jī)架（機(jī)箱）。這是一個(gè)有趣的機(jī)會(huì)，進(jìn)一步改善存儲(chǔ)與計(jì)算的解耦。

　　Kaminario的NVMe over Fabrics機(jī)架方案

NVMe在短期內(nèi)不會(huì)帶來(lái)性能上的變革，因?yàn)槭褂糜⑻貭?015的型號(hào)從直連SATA SSD到NVMe SSD訪問的延遲從C110微秒縮短到大約95微秒。

未來(lái)NVMe PCIe x4 Gen 3的延遲大約是20微秒。Fienblit表示，如果我們?nèi)サ魯?shù)據(jù)服務(wù)和數(shù)據(jù)縮減的話，NVMe SSD會(huì)帶來(lái)3-4倍的性能提升。NVMe Fabrics可以降低外部存儲(chǔ)陣列的訪問延遲。閃存介質(zhì)仍然是一個(gè)延遲瓶頸，直到/除非它被3D XPoint取代。

新興的高性能技術(shù)太昂貴無(wú)法步入主流，它將作為利基的、Tier 0應(yīng)用進(jìn)入市場(chǎng)，也不會(huì)給核心的全閃存陣列市場(chǎng)帶來(lái)突破性影響。

Kaminario打算做的是：

利用NAND的優(yōu)點(diǎn)，繼續(xù)使用最有成本效益的SSD，同時(shí)利用自身耐用性優(yōu)化的能力

使用3D XPoint取代DRAM，用于緩存MetaData和Data，用于實(shí)現(xiàn)更高的性價(jià)比

部署NVMe框架作為外部接入

利用NVMe、NVMeF、NVMe Network Shelves

Shachar Fienbli說，這將會(huì)帶來(lái)"全閃存陣列可擴(kuò)展性、成本效益和敏捷性方面的突破進(jìn)展"。

Fienblit設(shè)想，全閃存陣列配置內(nèi)部的100Gbit以太網(wǎng)背板或者框架，連接多個(gè)計(jì)算節(jié)點(diǎn)到多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)全方位的存儲(chǔ)與計(jì)算的解耦。而且兩者都可以獨(dú)立擴(kuò)展，沒有限制。存儲(chǔ)和計(jì)算可以全局共享。性能和容量在任何擴(kuò)展路徑下都是均衡的，不需要遷移數(shù)據(jù)。

也許一些計(jì)算資源可以呈現(xiàn)給外部，用于運(yùn)行那些需要接近于存儲(chǔ)的應(yīng)用。

這是我們從廠商那里看到NVMe over Fabrics以及XPoint最清晰和最詳細(xì)的路徑。