全球NAND Flash市場供過于求，各家存儲器廠紛設(shè)法壓低NAND Flash芯片生產(chǎn)成本，并兼顧芯片效能及耐久度，英特爾(Intel)、美光(Micron)雖號稱能夠生產(chǎn)出體積更小的3D NAND Flash芯片，然目前似乎已失去市場先機，反倒是兩家廠商合作研發(fā)的XPoint存儲器芯片，不僅技術(shù)領(lǐng)先，亦不會有供應(yīng)過量問題，有機會成為英特爾在非揮發(fā)性存儲器市場關(guān)鍵武器。

近期英特爾NAND Flash業(yè)務(wù)表現(xiàn)不盡理想，單季營收出現(xiàn)下滑，英特爾MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash面對競爭對手TLC(Triple-Level Cell)產(chǎn)品競爭，陷入成本及價格兩難困境，加上3D XPoint投資與3D NAND Flash大連廠支出等因素，整體營運表現(xiàn)不如預(yù)期。 此外，目前英特爾與威騰(Western Digital)旗下昱科(HGST)共同開發(fā)SSD產(chǎn)品，約占英特爾NAND Flash總營收20~25%，然隨著威騰買下SanDisk，將擁有NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備，屆時英特爾NAND Flash出貨動能恐更疲弱。

未來英特爾在非揮發(fā)性存儲器業(yè)務(wù)重要武器，包括3D NAND Flash及XPoint芯片，然在NAND Flash市場，面對東芝(Toshiba)、三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士等掀起價格大戰(zhàn)，英特爾恐已錯失市場先機，盡管英特爾攜手美光推出體積更小的3D NAND Flash芯片，但這項技術(shù)能否讓英特爾力挽頹勢，恐仍需要觀察。

相較之下，英特爾XPoint技術(shù)更被業(yè)界看好，由于目前其他存儲器業(yè)者發(fā)展的可變電阻式存儲器(ReRAM)、相變化存儲器(PRAM)等技術(shù)，仍難媲美XPoint的性能及耐久度，加上英特爾與美光有能力掌控XPoint芯片供應(yīng)，可避免供過于求情形再度發(fā)生。

另外，英特爾與美光亦可針對服務(wù)器控制器、工作站或游戲主機等，協(xié)助客戶進(jìn)行系統(tǒng)及應(yīng)用軟體調(diào)整，以充分發(fā)揮XPoint優(yōu)勢，盡管威騰、三星、SK海力士等亦希望能發(fā)展出與XPoint匹敵的非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，然目前進(jìn)度都落后英特爾2~5年，對于英特爾而言將是發(fā)揮XPoint市場戰(zhàn)力的最佳時機。