Crossbar正式進(jìn)入中國存儲(chǔ)市場
科技日報(bào)訊 3月22日,阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar公司宣布正式進(jìn)軍中國市場。
Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示:“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場,亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù),我們相信將在中國消費(fèi)電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外,我們近期與中芯國際已達(dá)成合作,將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝,有望使新的應(yīng)用開發(fā)受益。”
Minassian博士還表示:“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式內(nèi)存模塊,也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存,是滿足這些需求的理想解決方案。”
盧偉(Dr. Wei D. Lu)博士是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人,在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn),他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員,然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他也是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家,包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。
據(jù)了解,Crossbar RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當(dāng)前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競爭者,有望贏得這一價(jià)值600億美元的全球市場。Crossbar技術(shù)可在一個(gè)200平方毫米的芯片上存儲(chǔ)數(shù)個(gè)TB的數(shù)據(jù),能夠?qū)⒑A啃畔?,例?50小時(shí)的高清電影,存儲(chǔ)在比郵票還小的集成電路上,并進(jìn)行回放。
憑借簡單的三層結(jié)構(gòu),堆疊性和CMOS兼容性,Crossbar能在最新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下將邏輯和存儲(chǔ)集成到單芯片上,實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術(shù)無可比擬的存儲(chǔ)容量。