嘿,英特爾與美光:XPoint到底是不是相變型記憶體?

責(zé)任編輯:editor007

2016-01-21 21:35:15

摘自:ZDNet至頂網(wǎng)

目前已經(jīng)有多家供應(yīng)商致力于開發(fā)相變記憶體產(chǎn)品,從而擺脫NAND的尺寸削減難題--順帶一提,一旦單元大小低于10納米,NAND的功能可靠性將大打折扣。

嘿,英特爾與美光:XPoint到底是不是相變型記憶體?

不不不,它走起來像鴨子、叫起來像鴨子、游泳也像鴨子,但卻不是鴨子。

那么,XPoint內(nèi)存到底屬不屬于相變式記憶體方案?IM Flash Technologies(簡稱IMFT)公司一位聯(lián)席CEO剛剛給出了強(qiáng)證據(jù)證明其很可能屬于相變方案,但由于英特爾與美光雙方一直對其制造工藝諱莫如深,因此正確答案目前仍舊存疑。

IMFT是英特爾與美光雙方建立的一家合資企業(yè),旨在立足于猶他州萊赫市制造閃存芯片。該公司目前擁有兩位聯(lián)席CEO,分別為Guy Blalock與Keyvan Esfarjani。Esfarjani同時(shí)兼任著英特爾旗下技術(shù)與制造部門副總裁以及IM Flash Technologies公司首席執(zhí)行官職位以承擔(dān)這家合資企業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)工作。Blalock則屬于IMFT內(nèi)部的美光派系。

在今年1月12日于加利福尼亞州半月灣召開的芯片技術(shù)與制造貿(mào)易活動Semi大會當(dāng)中,Blalock提到了3D Xpoint內(nèi)存這一新型技術(shù)方案--這項(xiàng)由英特爾與美光聯(lián)合打造的非易失性內(nèi)存成果可提供千倍于NAND的速度表現(xiàn),旨在作為持久性內(nèi)存給服務(wù)器與存儲功能帶來革命性顛覆。

他在會議摘要中指出:"3D XPoint專門提供一種可行性途徑,旨在通過更為出色的延遲水平提供大規(guī)模內(nèi)存存儲資源,同時(shí)保持與CPU之間的緊密對接。"但這就是守口如瓶的英特爾與美光雙方正式透露出的全部消息了。

截至目前,兩家公司都拒絕透露XPoint非易失性內(nèi)存的具體制作材料,只是反復(fù)強(qiáng)調(diào)稱其不屬于相變記憶體--其實(shí)際是一種批量變化材料,而數(shù)字化信息(即二進(jìn)制1或者0)由其電阻水平?jīng)Q定,這意味著其批量變化的結(jié)果將具備可預(yù)測性。

需要強(qiáng)調(diào)的是,相變記憶體是一種硫化物(類似于玻璃)材質(zhì),其內(nèi)部狀態(tài)能夠由非晶態(tài)轉(zhuǎn)化為結(jié)晶態(tài),并在施以適當(dāng)電壓時(shí)重新恢復(fù)原本的非結(jié)晶態(tài)。這種狀態(tài)變化會帶來對應(yīng)的電阻改變,而對電阻值的讀取即可代表相關(guān)二進(jìn)制值。

目前已經(jīng)有多家供應(yīng)商致力于開發(fā)相變記憶體產(chǎn)品,從而擺脫NAND的尺寸削減難題--順帶一提,一旦單元大小低于10納米,NAND的功能可靠性將大打折扣。

去年7月英特爾與美光首次公布了其3D XPoint內(nèi)存,消息一出立即震驚全世界:包括千倍于現(xiàn)有閃存的訪問速度,千倍于現(xiàn)有閃存的使用壽命,更為寬松的蝕刻尺寸要求、更為寬松的層數(shù)添加空間以及低于DRAM的使用成本等等。

整個(gè)技術(shù)世界隨之而動,無數(shù)技術(shù)人員拿出大量時(shí)間希望弄清英特爾與美光到底是如何解決這個(gè)難倒了所有人的障礙。值得一提的是,即使是擁有大量頂尖技術(shù)人員的惠普企業(yè)業(yè)務(wù)實(shí)驗(yàn)室也一直沒能拿出實(shí)際可用的憶阻器技術(shù)方案。

因此,Blalock的發(fā)言自然引發(fā)了人們的濃厚興趣--雖然我們并不指望他透露XPoint所使用的具體材料。但他確實(shí)公布了答案:根據(jù)《電子工程專輯》雜志的報(bào)道,Blalock表示"硫化物材料與Ovonyx公司的狀態(tài)轉(zhuǎn)換技術(shù)成為這項(xiàng)成果中最令人驚嘆的組成部分,而且相關(guān)工作早在上世紀(jì)六十年代就已經(jīng)開始進(jìn)行"。

真的嗎,美光先生?讓我們再做一番回顧:

相變記憶體具備非易失特性,而硫化材料利用批量變化實(shí)現(xiàn)電阻值轉(zhuǎn)換。

XPoint并不屬于相變記憶體,但其

具備非易失特性

采用批量變化效應(yīng)

這種批量變化會影響到其電阻值

所使用材料為硫化物

Blalock的表述非常明確,但我們?nèi)匀灰活^霧水。

XPoint到底是不是相變記憶體?

根據(jù)3D Guy與《電子工程專輯》雜志的評論:"如我們所知,相變記憶體為了配合3D XPoint的宣傳工作已經(jīng)進(jìn)行了更名……他們不希望將其稱為相變記憶體,這是宣傳人員為了引發(fā)人們好奇心所常用的推廣作法。"

不過實(shí)際情況也可能并不止"'引發(fā)人們好奇心所常用的推廣作法'這么簡單。換言之,這可能是一種障眼法,為了證明英特爾能夠在PC業(yè)務(wù)的低迷態(tài)勢之下仍然擁有強(qiáng)大的后備業(yè)務(wù)提升能力,"評論員Ron Neale解釋稱。

Objective Analysis公司半導(dǎo)體分析師Jim Handy表示:"英特爾與美光雙方堅(jiān)稱3D XPoint并不屬于相變型記憶體,但他們必須給出的強(qiáng)證據(jù)似乎證明二者就是一回事。舉例來說,當(dāng)被問及這一即將發(fā)布的新技術(shù)時(shí),英特爾公司研究員Al Fazio指出,其具備可匹敵任何新興記憶體技術(shù)的成熟度,而這種說法曾被他在2011年的相變記憶體演講當(dāng)中所使用。"

"我的猜測是,兩家公司已經(jīng)找到了新的途徑是保證同樣的材料擁有略為不同的運(yùn)行狀態(tài),"他進(jìn)一步補(bǔ)充稱。"硫化物玻璃制品已經(jīng)成為氧空位及銀枝晶等新興記憶體技術(shù)的基礎(chǔ),所以雙方不一定要利用相變機(jī)制來實(shí)現(xiàn)位存儲效果。"

那么是否屬于相變記憶體真那么重要嗎?

"從長遠(yuǎn)角度來看,這個(gè)問題與那些非芯片制造商幾乎沒有任何關(guān)系。而最重要的影響,也是我們關(guān)注3D XPoint的一大重點(diǎn)在于,英特爾公司在記憶體結(jié)構(gòu)當(dāng)中建立起新的層面,而這會給計(jì)算與DRAM市場帶來深遠(yuǎn)的顛覆,"Handy表示。

如果它走起來像鴨子、叫起來像鴨子、游泳像鴨子、吃東西也像鴨子,但卻偏偏不是鴨子--好吧,這可能是鴨嘴獸。

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