惠普將為企業(yè)客戶(hù)推出全新“存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存”:與英特爾爭(zhēng)奪新標(biāo)準(zhǔn)

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2015-10-10 11:29:25

摘自:cnBeta.COM

惠普的憶阻器技術(shù)將與英特爾的3D XPoint和三星的3D NAND展開(kāi)直接競(jìng)爭(zhēng),其旨在打破傳統(tǒng)內(nèi)存(RAM)與存儲(chǔ)之間的隔閡,速度可達(dá)NAND閃存存儲(chǔ)的1000倍

惠普著手開(kāi)發(fā)全新類(lèi)別的存儲(chǔ)與內(nèi)存技術(shù)已有多年,這項(xiàng)稱(chēng)之為“憶阻器”(Memristor)的新技術(shù),有望以某種形式的堆棧式內(nèi)存來(lái)取代DRAM和NAND。盡管其算不上秘密、也算不上受歡迎,但惠普依然選擇了與SanDisk攜手打造一些基于憶阻器的存儲(chǔ)設(shè)備,并將之推向數(shù)據(jù)中心和其它企業(yè)?;萜盏哪繕?biāo)很簡(jiǎn)單,那就是為商業(yè)客戶(hù)開(kāi)發(fā)高端產(chǎn)品。

未來(lái)幾年,惠普憶阻器與三星/英特爾之間還有一場(chǎng)硬仗要打。

惠普的憶阻器技術(shù)將與英特爾的3D XPoint和三星的3D NAND展開(kāi)直接競(jìng)爭(zhēng),其旨在打破傳統(tǒng)內(nèi)存(RAM)與存儲(chǔ)之間的隔閡,速度可達(dá)NAND閃存存儲(chǔ)的1000倍,但是沒(méi)有傳統(tǒng)的RAM那么快。

好的一面是,與斷電就丟數(shù)據(jù)的RAM不同,憶阻器和3D XPoint更類(lèi)似,因?yàn)樗跀嚯姷那闆r下仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù),這這點(diǎn)與傳統(tǒng)的閃存也很像。通過(guò)結(jié)合雙方的優(yōu)點(diǎn),可以更好地實(shí)現(xiàn)性能和成本(能源/環(huán)保)方面的均衡。

惠普與SanDisk傾向于把新式憶阻器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)內(nèi)存叫做“存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存”(Storage Class Memory),畢竟它是專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心而打造的。但是在3D XPoint面前,它能否贏得客戶(hù)的心,目前還是個(gè)未知數(shù)。

盡管惠普揭曉憶阻器的時(shí)間更早,但其進(jìn)步的速度還是趕不上英特爾,且“事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)”向來(lái)都更容易落到更強(qiáng)勢(shì)的那一家。

早在今年的開(kāi)發(fā)者論壇(IDF 2015)上,英特爾就已經(jīng)展示過(guò)首款3D XPoint SSD。該設(shè)備擁有6GB/s的帶寬,并且兼容DDR4和PCIe 3.0 x4插槽。

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