IMTF，也就是英特爾美光閃存技術(shù)，屬于英特爾與美光兩家企業(yè)之間的合作產(chǎn)物。這項(xiàng)3D MLC NAND技術(shù)將被用于在未來兩年內(nèi)構(gòu)建容量高達(dá)10TB的SSD產(chǎn)品。

所謂3D閃存芯片，是指將多個(gè)普通或者2D平面存儲(chǔ)單元以彼此累加的方式堆疊起來以構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)。

這條消息來自前天——也就是11月20號(hào)——英特爾公司投資方所發(fā)布的網(wǎng)絡(luò)播客內(nèi)容，其中還提到英特爾公司非易失性存儲(chǔ)解決方案部門副總裁兼總經(jīng)理Rob Crooke就開發(fā)進(jìn)度做出如下說明：

包含32個(gè)平面層
不同層之間約有40億個(gè)柱狀互連通道負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)傳輸
采用MLC（即2 bit每單元）NAND的情況下可提供256Gbit存儲(chǔ)容量——也就是32GB
采用TLC（即3 bit每單元）NAND的情況下可提供348Gbit——也就是48GB

具體制程工藝信息尚未披露，但估計(jì)是在3X水平——即30納米到39納米。除此之外，目前尚未確定英特爾是否會(huì)真正著手將3D芯片制造付諸實(shí)施。如果沒有特殊情況，那么應(yīng)該是由IMTF的Lehi——即猶他州代工廠負(fù)責(zé)制造。

IMTF NAND芯片

我們可以期待著美光采取并推出基于同一技術(shù)基礎(chǔ)的產(chǎn)品。

Crooke預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)將出現(xiàn)10TB SSD，這意味著（我們假設(shè)）具體時(shí)間點(diǎn)應(yīng)該在2016年年底或者2017年年初，同時(shí)承諾帶來極具顛覆性的低成本——這意味著（我們?cè)俅未竽懠僭O(shè)）每GB價(jià)格將與磁盤驅(qū)動(dòng)器保持基本一致。

他同時(shí)表示，屆時(shí)市場上還有可能出現(xiàn)基于這一技術(shù)的容量為1TB、厚度卻僅為2毫米的移動(dòng)設(shè)備閃存產(chǎn)品，這將極大提高平板設(shè)備與智能手機(jī)的存儲(chǔ)容量。

其它專注于3D閃存開發(fā)項(xiàng)目的廠商還包括海力士、三星以及SanDisk，其中三星的技術(shù)成果最為先進(jìn)。

三星的V-NAND已經(jīng)被應(yīng)用在3.2TB SM1715 NVMe服務(wù)器閃存卡當(dāng)中。其845DC PRO SSD是一款包含24層結(jié)構(gòu)的V-NAND產(chǎn)品，采用40納米制程工藝并擁有128GB芯片。

SSD850 PRO則是另一款具備32層結(jié)構(gòu)的三星V-NAND產(chǎn)品，順帶一提，它為客戶提供長達(dá)十年的質(zhì)保服務(wù)。這款產(chǎn)品采用86Gbit芯片，若采用此次公布的新技術(shù)、那么TLC芯片將使其擁有128Gbit容量。

就目前來看，英特爾公司在存儲(chǔ)容量方面具備顯著的競爭優(yōu)勢（至少從理論層面上看）。預(yù)計(jì)三星方面將在未來一年將3D NAND技術(shù)推向下一個(gè)世代，屆時(shí)存儲(chǔ)容量可能得到進(jìn)一步提升。

海力士公司也指出，其將從今年年底開始大規(guī)模啟動(dòng)3D NAND生產(chǎn)計(jì)劃。

SanDisk公司采用的是其獨(dú)特的P-BiCS機(jī)制，即利用垂直比特串而非2D平面層結(jié)構(gòu)。采用該項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)品可能會(huì)在明年與廣大用戶見面。

總而言之，我們可以期待隨著3D NAND生產(chǎn)逐步走向主流，SSD與閃存卡設(shè)備將持續(xù)迎來不斷增長的容量指標(biāo)。