早在今年年初的時候，鎂光公司就曾放出狠話稱：“自主的DDR4內(nèi)存將于年內(nèi)發(fā)布”，但時隔半年之久卻石沉大海。不過今日一份來自鎂光官網(wǎng)上的產(chǎn)品路線圖使得DDR4內(nèi)存初現(xiàn)端倪。

作為DDR3的繼任者，DDR4內(nèi)存運(yùn)行電壓將比前者低20%，速度卻至少能達(dá)到后者的兩倍，頻率從2133MHz起步，最高可支持4266MHz。

雖然DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)早已經(jīng)制定完畢，各家內(nèi)存廠商也都完成了自己DDR4內(nèi)存的研發(fā)，不過大家都不著急發(fā)布，為什么呢？根絕Intel的計(jì)劃，第一款支持DDR4內(nèi)存的處理器Haswell-E在2014年中后期的某個時間才會發(fā)布，這還僅僅是在發(fā)燒領(lǐng)域，而AMD至今也沒有明確表示過什么時候開始支持DDR4。

雖然未來半年內(nèi)都不會有支持DDR4內(nèi)存的平臺，但美光卻積極打造自主的DDR4內(nèi)存這是為什么呢?據(jù)外媒VR-ZONE給出了解讀-給投資者和媒體看的，而且美光將在12月19號公布公布下季度報(bào)告，成為首家發(fā)布DDR4內(nèi)存的公司在報(bào)告里可以成為不錯的自夸資本。

所以作為普通消費(fèi)者，未來一個多月即使看到美光發(fā)布了DDR4內(nèi)存也不要激動，想用至少要等到2015年了。