臺灣市場調(diào)研機構(gòu)Digitimes Research認(rèn)為，隨著各大廠商爭相轉(zhuǎn)向新工藝、擴大產(chǎn)能，2011年全球DRAM內(nèi)存顆粒的供應(yīng)量將超過實際需求量多達28％，大大超過2010年的10％左右。

據(jù)預(yù)計，如果將DRAM內(nèi)存顆粒都按照容量折算成1Gb型號，2011年的全球產(chǎn)量將是大約32.3億顆，年增幅58.8％，這主要源于DRAM制造工藝從40nm級別普遍升級到30nm級別帶來的成本降低、利潤改善，不過與此同時，市場需求量只會緩慢增長到23.2億顆，增幅不過27.2％，這就出現(xiàn)了9億多顆的剩余。

DRAM內(nèi)存顆粒的需求增長主要來自于智能手機、液晶電視、機頂盒、平板機等消費電子產(chǎn)品，預(yù)計年需求量將超過5億顆，相比2010年的不到3億顆猛增67.4％。

大面積的供過于求必然會導(dǎo)致DRAM內(nèi)存顆粒的價格出現(xiàn)跳水。2010年1Gb DDR3顆粒的平均價格為2.42美元，2011年或許會降至1.32美元，2012年更是可能繼續(xù)跌至僅僅0.48美元，內(nèi)存條白菜價的局面也有可能再次出現(xiàn)。有趣的是，等到2012年的時候下代DDR4內(nèi)存條也有望投入商用。

如此一來DRAM廠商的收入和利潤必然大幅縮水，力晶、茂德等這些在工藝上缺乏競爭力的廠商可能會轉(zhuǎn)而把重點放在對外代工業(yè)務(wù)上。