韓國三星電子公司宣布已經(jīng)完成使用準(zhǔn)30nm級別制程（30-39nm之間）DDR4內(nèi)存模組的開發(fā)。目前DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)尚未最后成型，不過三星的 DDR4產(chǎn)品在1.2V工作電壓下可達(dá)到2.133Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸率。相比之下，DDR3內(nèi)存的工作電壓則需要在1.35-1.5V的工作電壓下才可 以達(dá)到1.6Gb/s的數(shù)據(jù)傳輸率。

按三星自己的話說，如果把這種1.2V電壓的DDR4內(nèi)存使用在筆記本上，那么相比1.5V工作電壓的DDR3內(nèi)存，可省電40%左右。

參考圖：傳統(tǒng)堆挽（Push-Pull）和POD輸入/輸出技術(shù)的區(qū)別
 

這種內(nèi)存使用了一種被稱為準(zhǔn)漏極開路（POD）的技術(shù)，這種技術(shù)在GDDR3/GDDR4顯存上曾有使用，在讀寫內(nèi)存數(shù)據(jù)時(shí)，這種技術(shù)可以比DDR3內(nèi)存的工作電流減小一半左右。

不僅如此，由于采用了新的電路架構(gòu)設(shè)計(jì)，三星這種DDR4內(nèi)存最高的數(shù)據(jù)傳輸率可高達(dá)3.2Gbps，相比之下，DDR3內(nèi)存僅有1.6Gbps，DDR2則僅800Mbps。

上個(gè)月月底，三星曾將一款1.2V 2GB容量的DDR4 unbuffered雙列直插內(nèi)存條樣品送給了某家內(nèi)存控制器廠商進(jìn)行樣品測試。

三星目前正計(jì)劃與多家服務(wù)器廠商合作，以盡快在今年下半年完成DDR4 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的制定工作。