8月29-30日，我們?cè)诤贾菖e辦的2023全球閃存峰會(huì)上談什么話題？

1、CXL與內(nèi)存池化：以數(shù)據(jù)中心服務(wù)器為例，每個(gè)服務(wù)器都有定量內(nèi)存，上面跑應(yīng)用也是限量供應(yīng)，超了不行，用太少不劃算，相當(dāng)于手握流量密碼卻使用不得法，CXL作為一個(gè)開放式內(nèi)部互連新標(biāo)準(zhǔn)出現(xiàn)了，目標(biāo)是跨主機(jī)和所有CXL設(shè)備構(gòu)建通用內(nèi)存池，提高內(nèi)存容量，實(shí)現(xiàn)內(nèi)存訪問和一致性緩存。

CXL本身建立在PCIe 5.0協(xié)議基礎(chǔ)上，分三種模型，由三個(gè)子協(xié)議排列組合而成，CXL.io就是PCIe 5.0升級(jí)版，負(fù)責(zé)為I/O設(shè)備提供一個(gè)非連貫的加載/存儲(chǔ)接口，必不可少， CXL.cache是支持設(shè)備訪問處理器內(nèi)存，CXL.mem是支持處理器訪問設(shè)備附加內(nèi)存。其實(shí)相當(dāng)于給io配裝備，不同組合獲得技能不同。

目前市場最新產(chǎn)品支持到CXL 2.0，增加了交換機(jī)功能、加密和對(duì)持久內(nèi)存的支持。開始把內(nèi)存從服務(wù)器里拿出來，放到一個(gè)單獨(dú)設(shè)備里，服務(wù)器自己只有很少一部分內(nèi)存，當(dāng)需要內(nèi)存的時(shí)候從單獨(dú)的內(nèi)存設(shè)備里取出來。

CXL正在引發(fā)一場重大的存儲(chǔ)架構(gòu)變革，需要時(shí)間構(gòu)建生態(tài)環(huán)境，發(fā)展壯大目前已經(jīng)加入到了眾多存儲(chǔ)廠商的技術(shù)規(guī)劃里，因此，峰會(huì)加入此話題。

2、存算一體化：2021年7月份，全球閃存峰會(huì)上首次舉辦存算一體化技術(shù)論壇，讓我們進(jìn)一步了解到硬件設(shè)計(jì)中，存儲(chǔ)與計(jì)算的融合即存算一體的呈現(xiàn)方式分很多種。近內(nèi)存計(jì)算是“捆綁”緩存+內(nèi)存，當(dāng)前主流技術(shù)是HBM（高帶寬內(nèi)存）。近存儲(chǔ)計(jì)算是為了解決存儲(chǔ)器距離計(jì)算模塊太遠(yuǎn)，讀取最花時(shí)間的問題，讓擁有計(jì)算模塊的FPGA處理數(shù)據(jù)充當(dāng)閃存控制器。

而真正的存算一體是在存儲(chǔ)器里進(jìn)行計(jì)算的存內(nèi)計(jì)算，利用存儲(chǔ)器內(nèi)電阻特性進(jìn)行計(jì)算，通過電阻值來區(qū)分多種狀態(tài)，電壓和電阻都是變量，利用歐姆定律，輸出結(jié)果是電流，一個(gè)晶體管就可以完成一次計(jì)算過程。

2023年閃存峰會(huì)加入此話題，旨在讓大家了解更多存算一體化應(yīng)用新進(jìn)展。

3、AIGC新變革：AIGC是今年的熱門話題并且正在影響我們的工作與生活。目前一些國外企業(yè)已經(jīng)在用自然語言實(shí)時(shí)查詢其組織的數(shù)據(jù)庫/數(shù)據(jù)湖，即通過投喂給ChatGPT矢量函數(shù)實(shí)現(xiàn)SQL查詢功能，通用基礎(chǔ)的功能很好用。但國內(nèi)不會(huì)那么沖動(dòng)，首先自己得有真正的大模型，然后提供相匹配的算力，存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)資源，還有與行業(yè)應(yīng)用的融合創(chuàng)新。

比如當(dāng)前生成式AI應(yīng)用要從大量訓(xùn)練數(shù)據(jù)中學(xué)習(xí)生成和輸出高質(zhì)量內(nèi)容。AI模型要存儲(chǔ)大量的圖片和音頻信息，具備快速處理數(shù)據(jù)的能力，因此對(duì)存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度提出了更高要求，HBM因?yàn)槟軌蛴行嵘?xùn)練學(xué)習(xí)和計(jì)算期間的服務(wù)器性能，就是首選。

峰會(huì)加入此話題，是為了蹭熱度…不是，是為了讓大家客觀了解AIGC在國內(nèi)的發(fā)展變化以及未來融合應(yīng)用新趨勢。

4、MRAM與PCM等新存儲(chǔ)器件:關(guān)注存儲(chǔ)技術(shù)新趨勢，人人有責(zé)。IDC亞太區(qū)研究總監(jiān)郭俊麗對(duì)此曾做過簡單總結(jié)，新型存儲(chǔ)技術(shù)可主要分為相變存儲(chǔ)器(PCM，Phase Change Memory)、磁變存儲(chǔ)器（MRAM）、阻變存儲(chǔ)器（RRAM/ReRAM）以及鐵電存儲(chǔ)器（FRAM/FeRAM）。

PCM是通過熱能的轉(zhuǎn)變，使相變材料在低電阻結(jié)晶（導(dǎo)電） 狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶（非導(dǎo)電）狀態(tài)間轉(zhuǎn)換，擁有壽命長、功耗低、密度高、抗輻照特性好、讀寫速度快的技術(shù)特點(diǎn)。

MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域，新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。

FRAM技術(shù)是利用鐵電晶體材料電壓與電儲(chǔ)。流關(guān)系具有滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)，鐵電材料可同時(shí)用于電容器和CMOS集成電路柵氧化層的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。具有讀寫速度快、壽命長、功耗低、可靠性高的特點(diǎn)。

ReRAM是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器，該技術(shù)具備一般小于100ns的高速度、耐久性強(qiáng)、多位存儲(chǔ)能力的特點(diǎn)。

峰會(huì)選入此話題旨在關(guān)注和推動(dòng)新存儲(chǔ)器件的發(fā)展變化。

5、閃存產(chǎn)品質(zhì)量評(píng)測：閃存技術(shù)的進(jìn)步和創(chuàng)新對(duì)提高存儲(chǔ)性能、容量和數(shù)據(jù)可靠性至關(guān)重要。了解閃存技術(shù)的最新發(fā)展、架構(gòu)優(yōu)化、存儲(chǔ)密度提升、數(shù)據(jù)傳輸速率等方面內(nèi)容，能夠讓大家了解行業(yè)的前沿技術(shù)趨勢。同時(shí)，產(chǎn)品質(zhì)量測評(píng)是確保閃存產(chǎn)品符合高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的重要環(huán)節(jié)。通過評(píng)估和測試閃存產(chǎn)品的性能、可靠性、耐久性和數(shù)據(jù)保護(hù)能力，可以確保產(chǎn)品在實(shí)際使用中的穩(wěn)定性和可靠性。

在閃存峰會(huì)上，分享和討論產(chǎn)品質(zhì)量測評(píng)的方法、標(biāo)準(zhǔn)和最佳實(shí)踐，有助于推動(dòng)整個(gè)閃存行業(yè)的質(zhì)量提升和標(biāo)準(zhǔn)制定。因此，閃存技術(shù)和產(chǎn)品質(zhì)量測評(píng)加入閃存峰會(huì)話題當(dāng)中。

6、閃存與嵌入式應(yīng)用：閃存在嵌入式系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵的角色。嵌入式應(yīng)用是指將計(jì)算能力嵌入到各種設(shè)備和系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)特定功能或任務(wù)的應(yīng)用。這些設(shè)備包括智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制系統(tǒng)等。閃存在嵌入式應(yīng)用中具有多重優(yōu)勢。如閃存具有較小的體積和低功耗的特點(diǎn)，適合在資源受限的嵌入式設(shè)備中使用。其次，閃存具有高速的讀寫性能，可以滿足實(shí)時(shí)和響應(yīng)性要求。此外，閃存還具備抗震動(dòng)、耐高溫和低故障率等特性，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜的工作環(huán)境。

為了了解閃存在嵌入式應(yīng)用上的最新技術(shù)發(fā)展、解決方案和應(yīng)用案例，閃存峰會(huì)加入此話題。

7、綠色存儲(chǔ)：在存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造和運(yùn)營中需要考慮環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)性發(fā)展的概念。它關(guān)注降低能源消耗、減少碳排放、提高資源利用效率和延長產(chǎn)品生命周期等方面。本次加入閃存峰會(huì)話題中，旨在推動(dòng)行業(yè)在節(jié)能減排、資源利用效率和環(huán)境保護(hù)方面的創(chuàng)新和進(jìn)步。通過分享實(shí)踐應(yīng)用與技術(shù)創(chuàng)新，推動(dòng)行業(yè)可持續(xù)發(fā)展。

8、當(dāng)然我們依然保留固定的中心話題——分布式存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)SSD，分布式存儲(chǔ)可以提供更高的性能和更好的數(shù)據(jù)可靠性。企業(yè)級(jí)SSD具有更高的可靠性、更長的壽命和更高的性能。它們通常采用更先進(jìn)的閃存技術(shù)和控制器設(shè)計(jì)，具備更好的數(shù)據(jù)保護(hù)和錯(cuò)誤修復(fù)能力。

更多大會(huì)內(nèi)容持續(xù)更新中，敬請(qǐng)期待！