：近日，當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，計劃新設(shè)立一個具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心，負(fù)責(zé)研發(fā)更先進(jìn)的NAND Flash，縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時間，提升半導(dǎo)體質(zhì)量，以期通過不斷研發(fā)更先進(jìn)的產(chǎn)品在NAND Flash市場占有優(yōu)勢。據(jù)報道，該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米，將主管NAND Flash 、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計劃到2028年對該園區(qū)投資約20萬億韓元（約合人民幣1030億元）。

：據(jù)國外媒體報道，SK海力士計劃在美國建設(shè)一家先進(jìn)的芯片封裝工廠，該工廠將于明年第一季度破土動工。該工廠預(yù)計將耗資 “數(shù)十億美元”，到2025-2026年將實現(xiàn)量產(chǎn)，且將雇用約1000名工人。并宣布在美國投資220億美元，用于設(shè)立芯片封裝廠相關(guān)。SK集團(tuán)將透過研發(fā)、材料、并建立先進(jìn)封測廠，總共在半導(dǎo)體領(lǐng)域斥資150億美元。消息人士表示，先進(jìn)封裝設(shè)施會把SK海力士的存儲芯片和其他美國所設(shè)計用于機器學(xué)習(xí)和人工智能的芯片進(jìn)行組裝。

：美光宣布計劃投資約150億美元，用于在愛達(dá)荷州博伊西建造一個新的先進(jìn)存儲制造工廠。這將是20年來在美國建造的第一家新的存儲制造工廠，在加速采用人工智能和5G的推動下，確保供應(yīng)美國汽車和數(shù)據(jù)中心等細(xì)分市場所需的領(lǐng)先存儲芯片。