8月13日消息 高通公司高級副總裁彼德·卡爾森近日透露稱，高通的TD-LTE芯片將在今年進行試驗，而明年將正式投入商用。

    “高通的TD-LTE芯片方案主要有電源管理、基帶芯片和射頻芯片三方面組成，基帶芯片MDM9200是已支持LTE FDD/TDD、HSPA+以及EDGE等多種制式的融合芯片?！?彼德·卡爾森表示，高通高集成芯片組不僅能夠幫助運營商從3G平滑演進到4G，同時也能夠幫助OEM廠商設(shè)計，同時利用相同的設(shè)計平臺，解決開發(fā)設(shè)計成本。

    彼德·卡爾森介紹到，目前推出的MDM9200芯片是高通部署LTE芯片的第一階段，而在下一階段高通將分兩步進行，第一步是提出集成芯片MSM8960，語音服務(wù)通過2G或3G來實現(xiàn)，而數(shù)據(jù)則通過LTE實現(xiàn)；后期演進的MSM8960芯片則將實現(xiàn)語音與數(shù)據(jù)均可通過LTE來實現(xiàn)。

    今年6月初，高通公司在11家競標者參與到印度BWA寬帶無線接入頻譜拍賣中并獲勝，高通的目標很明確，即通過BWA頻段布局3G及LTE，而印度2.3GHz頻段的特點和印度民眾對寬帶服務(wù)的需求與高通的TD-LTE恰好契合在一起。與此同時，近日高通宣布與Global Holding和Tulip兩家印度公司組建合資公司，根據(jù)印度政府的要求共建LTE網(wǎng)絡(luò)，之后從合資公司中撤出。