2021年，受國家政策拉動、國產(chǎn)替代等因素影響，國內(nèi)半導體快速發(fā)展。公司充分發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢，以產(chǎn)業(yè)政策為指導，積極推進“三項結(jié)構(gòu)調(diào)整”，加大向國家戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域的拓展推廣力度，加快半導體產(chǎn)品的國產(chǎn)替代步伐，充分發(fā)揮公司集功率半導體器件設(shè)計研發(fā)、芯片制造、封裝測試為一體的技術(shù)體系和競爭優(yōu)勢，實現(xiàn)公司中高端技術(shù)產(chǎn)品在市場規(guī)模化應(yīng)用，以新產(chǎn)品、新領(lǐng)域重點項目指標的達成帶動公司整體業(yè)績持續(xù)穩(wěn)步增長。
華微電子作為多年深耕功率半導體領(lǐng)域的公司，積極推進新興領(lǐng)域拓展。在新能源領(lǐng)域，公司加大產(chǎn)品研發(fā)及推廣力度。在光伏組件領(lǐng)域進一步提升市場份額，同時開發(fā)新一代SBD產(chǎn)品，進一步擴大市場占有率;在新能源的光伏逆變與風力發(fā)電領(lǐng)域有所突破，成功開發(fā)行業(yè)標桿客戶，實現(xiàn)IGBT產(chǎn)品的大批量銷售。
同時在新能源汽車領(lǐng)域，2021年公司進一步拓展了新能源汽車配套業(yè)務(wù)，實現(xiàn)了OBC、汽車空調(diào)、車載逆變、車載DC-DC變換器等多個模組的功率器件配套，產(chǎn)品涵蓋IGBT、FRD、高低壓MOS等。
在研發(fā)方面，公司持續(xù)加大研發(fā)力度，提升核心技術(shù)能力，完善產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。完成了多層外延高壓超級結(jié)技術(shù)、載流子存儲溝槽IGBT技術(shù)、中壓SGTMOSFET等工藝技術(shù)研發(fā)，實現(xiàn)了具有自身特色的功率半導體工藝平臺的建設(shè)，進一步完善了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品競爭力。
值得注意的是，公司在第三代半導體研發(fā)上也有所突破，完成650V-1200V、5A-40ASiCSBD產(chǎn)品開發(fā)，在快充、光伏、大功率電源領(lǐng)域開始示范性應(yīng)用;推出65W快充用650VGaN器件，產(chǎn)品效率與國際水平相當。
新冠疫情反復與復雜的國際貿(mào)易形勢使的半導體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略地位尤為突出，半導體科技自主可控與國產(chǎn)化替代成為國家科技自立自強、安全智能綠色發(fā)展的剛需。華微電子作為國內(nèi)功率半導體行業(yè)具有競爭力的IDM領(lǐng)軍企業(yè)將受益于行業(yè)長期增長趨勢。
華微電子相關(guān)人士表示：公司未來將通過深化“三項結(jié)構(gòu)調(diào)整”，聚焦主推產(chǎn)品、重點領(lǐng)域、典型客戶?？焖偬嵘邪l(fā)能力，拓展研發(fā)模式，積極響應(yīng)市場，擴充技術(shù)儲備。提升芯片制造核心競爭力，推進6、8英寸芯片擴產(chǎn)，持續(xù)優(yōu)化成本，穩(wěn)步提升效率。促進產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，開展公司重點項目建設(shè)，實現(xiàn)公司高質(zhì)量、高效率、高效益的可持續(xù)性發(fā)展。
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