在今天舉行的“領(lǐng)先·無(wú)界”英特爾精尖制造日，英特爾公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁、英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)聯(lián)席總經(jīng)理Zane Ball表示，英特爾已交付超過(guò)700萬(wàn)片F(xiàn)inFET晶圓，22FFl 生態(tài)系統(tǒng)助力物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)快速發(fā)展。此外，他透露，“PDK 1.0現(xiàn)已上市并計(jì)劃于2017年第四季度全面投產(chǎn)就緒。

　　據(jù)了解，英特爾22FFL對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì)提供非常出色技術(shù)平臺(tái)。

ARM公司銷(xiāo)售和戰(zhàn)略聯(lián)盟高級(jí)副總裁Will Abbey就曾評(píng)價(jià)道，“22FFl是一項(xiàng)非常令人振奮的工藝，它提供了FinFET晶體管所能帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)，并且有更簡(jiǎn)單的后道工藝。這種優(yōu)勢(shì)從ARM的角度來(lái)說(shuō)，為量大但對(duì)成本敏感的移動(dòng)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用找到了一條很好的通路。”

迄今為止，英特爾已交付超過(guò)700萬(wàn)片F(xiàn)inFET晶圓，22FFL工藝充分利用這些生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，達(dá)到了極高的良品率。

與先前的22GP（通用）技術(shù)相比，全新22FFL技術(shù)的漏電量最多可減少100倍。22FFL工藝還可達(dá)到與英特爾14納米晶體管相同的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)實(shí)現(xiàn)比業(yè)界28納米/22納米平面技術(shù)更高的面積微縮。

22FFL工藝包含一個(gè)完整的射頻（RF）套件，并結(jié)合多種先進(jìn)的模擬和射頻器件來(lái)支持高度集成的產(chǎn)品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)法則，使22FFL成為價(jià)格合理、易于使用可面向多種產(chǎn)品的設(shè)計(jì)平臺(tái)，與業(yè)界的28納米的平面工藝(Planar)相比在成本上極具競(jìng)爭(zhēng)力。

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)（IntelCustom Foundry）通過(guò)平臺(tái)向客戶提供22FFL工藝，該平臺(tái)包含多種已驗(yàn)證的硅IP組合以及全面集成的一站式晶圓代工服務(wù)和支持。

在會(huì)上，Zane Ball指出，“22FFL新技術(shù)適用于低功耗的物聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品，它將性能、功耗、密度和易于設(shè)計(jì)的特性完美結(jié)合。”

此外，Zane Ball透露，“目前英特爾提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)PDK0.5及PDK1.0，其中PDK 1.0現(xiàn)已上市并計(jì)劃于2017年第四季度全面投產(chǎn)就緒。”