從1981年8051單片機問世，至今已經(jīng)有36年了。在曾經(jīng)的那個年代，8位單片機霸占市場，有很多公司在設計和生產(chǎn)基于8051內核的單片機。如今隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，ARM Cortex-M核的MCU在市場占據(jù)主導地位，正在成為全球消費和工業(yè)電子產(chǎn)品的核心。

其實無論哪種方式，高性能、低成本的產(chǎn)品永遠是客戶追求的最終目標，對于企業(yè)來說，能夠確保產(chǎn)品能滿足市場需求變得更加關鍵。

近日，恩智浦在北京舉辦了一場微控制器與微處理器的媒體交流會。在會上，恩智浦推出了全新i.MX RT系列“跨界處理器”。

與以往的MCU新產(chǎn)品不同，i.MX RT系列融合了MCU和MPU的特性，采用的是MCU內核，又使用了基于應用處理器的架構方式，在一定程度上既能實現(xiàn)應用處理器的高性能和豐富功能，又能兼具傳統(tǒng)MCU的易用性和實時低功耗運行，完全滿足用戶的新需求。

跨界融合給用戶提供更多產(chǎn)品選擇

毫無疑問，跨界處理器的出現(xiàn)，填補了MCU和應用處理器之間的空白，讓用戶擁有更多選擇。以前想要實現(xiàn)MCU和應用處理器之間的無縫擴張并非易事，但現(xiàn)在使用跨界處理器，可以令用戶不受限制的在其產(chǎn)品設計中添加物聯(lián)網(wǎng)功能，與此同時還不增加成本，這讓很多人眼前一亮。

恩智浦半導體微控制器產(chǎn)品線全球資深產(chǎn)品經(jīng)理曾勁濤

據(jù)恩智浦微控制器業(yè)務線全球資深產(chǎn)品經(jīng)理曾勁濤介紹，i.MX RT系列的內核運行速度高達 600 MHz，與目前市場上競爭解決方案的最高速度400MHz的相比，優(yōu)勢明顯。

不僅如此，作為目前具有最高性能水平的 Cortex-M7 解決方案, i.MX RT系列可提供3015 CoreMark/1284 DMIPS 的處理速度，是現(xiàn)有Cortex-M4 產(chǎn)品的 2.5 倍。而在性能方面，也高出任何其他Cortex-M7產(chǎn)品50%以上，Cortex-A5產(chǎn)品100%以上。

在性能和速度上表現(xiàn)如此卓越，那么安全方面又如何呢？恩智浦副總裁兼LPC和低功耗微控制器產(chǎn)品線總經(jīng)理于修杰表示，恩智浦的產(chǎn)品最重要的特點就是安全性高。而跨界嵌入式處理器采用了與應用處理器類似的數(shù)據(jù)保護架構，能夠使數(shù)據(jù)以加密的格式存儲在外部存儲器中。需要時,加密數(shù)據(jù)被傳輸至芯片,用戶一邊讀取一邊就能解密；不需要時，數(shù)據(jù)用片內非易失存儲器來儲存數(shù)據(jù)，保障用戶數(shù)據(jù)的安全性，解決后顧之憂。

恩智浦的產(chǎn)品線很廣，包含上百種產(chǎn)品。于修杰告訴筆者，恩智浦的產(chǎn)品研發(fā)是基于客戶整個系統(tǒng)上的需求，他們希望夠利用先進的科技來創(chuàng)造出適合客戶的產(chǎn)品，而不是一味把客戶往已有的產(chǎn)品上推。于修杰強調：“我們做出很多不同的東西，就是為了讓客戶有更多的選擇。”

發(fā)力FD-SOI技術

隨著技術的發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)應用對于芯片性能的要求越來越高。傳統(tǒng)的工藝技術節(jié)點升級到20nm左右的時候，將無法獲得等比例縮小的性能、成本和功耗優(yōu)勢，這也使得選擇哪種工藝技術來接替?zhèn)鹘y(tǒng)技術繼續(xù)革新，成為包括恩智浦在內的半導體企業(yè)必須要面對的問題。

在本次發(fā)布會上，恩智浦資深副總裁兼微控制器業(yè)務線總經(jīng)理GEoff Lees給出了答案：“FD-SOI是我們最看好的技術。恩智浦如今50%以上的投資都是基于FD-SOI技術的，在接下來的三五年，恩智浦80%的新產(chǎn)品都會采用FD-SOI工藝。”

恩智浦資深副總裁兼微控制器業(yè)務線總經(jīng)理Geoff Lees

為什么選擇做FD-SOI，Geoff Lees解釋道：“這主要是由于芯片成本和復雜度越來越高，我們想利用市場上現(xiàn)有的28nm生產(chǎn)設備，以降低成本和復雜性。再有就是FD-SOI比傳統(tǒng)的BULK技術擁有更寬的工作范圍，可以給用戶更多的設計節(jié)點，它的應用場合比FinFET技術更為廣泛，并且在不影響執(zhí)行速度的情況下能有效延長產(chǎn)品的電池壽命。

從目前在先進工藝制程中看，其實還是FinFET技術占優(yōu)。因為英特爾、臺積電以及三星都在采用FinFET技術，并己經(jīng)進入10納米量產(chǎn)，臺積電己聲稱7納米今年試產(chǎn)，確保明年量產(chǎn)。而目前見到量產(chǎn)的FD-SOI技術，僅意法半導體與三星，格羅方德計劃2017年量產(chǎn)22納米FD-SOI。

但坦白講，只有高端PC或者服務所用的高性能處理器能承受FinFET的高成本。從半導體技術發(fā)展來看，F(xiàn)D-SOI確實是個不錯的技術，它不僅能得到FinFET全耗盡晶體管帶給平面?zhèn)鹘y(tǒng)技術的全部好處，而且還能實現(xiàn)后者無法達到的先進的負偏壓技術，最重要的FD-SOI還有成本和功耗上的優(yōu)勢。所以，恩智浦大力發(fā)展FD-SOI技術，毋庸置疑。

強中國屬性的戰(zhàn)略布局

其實，我覺得恩智浦發(fā)力FD-SOI技術，其中還有一個重要原因是因為它適合中國市場。我們很難想象，恩智浦從1986年進入中國市場已經(jīng)有31年了，在中國擁有7000名員工，就像Geoff Lees說的“關于中國的故事我們已經(jīng)講了許多年了”。

確實，恩智浦在蘇州設有超過15年歷史的設計中心，在天津建設了工廠和組裝中心，90%的MCU產(chǎn)品都是在天津封裝和測試的。而此次發(fā)布的i.MX RT系列也是由上海的設計中心設計研發(fā)的。

中國作為發(fā)展最迅猛的國家，未來五年內，中國嵌入式應用市場將增長1.6倍，比全球市場的增長速度快兩倍。中國仍是恩智浦最看重的市場，沒有之一。

也因此，在過去的幾年里，恩智浦真正做到了在中國定義、中國設計、中國生產(chǎn)，為中國要求非常嚴格的工業(yè)類物聯(lián)網(wǎng)和付費應用的市場提供服務。

與中國打交道這么多年，恩智浦對中國客戶十分了解。Geoff Lees表示，中國客戶最大特點是不愿意付錢給沒用的東西，對價錢比較敏感，他們不對一些聽起來很好但實用性不強的功能付費。我們在中國投資不是因為中國便宜，而是因為市場在這，我們現(xiàn)在50%的生意是中國市場，如果加上國外設計在中國制造或者國外設計在中國附屬設計的產(chǎn)品，大約有70%的生意是在中國市場。

恩智浦確實很懂中國、很了解中國市場的“玩法”，這從恩智浦在中國各個領域的活躍程度就可以看出。尤其在斥資120億美元合并飛思卡爾之后，恩智浦借助其在MCU、傳感器和連接上的優(yōu)勢，強強聯(lián)手挺進物聯(lián)網(wǎng)，聚焦智慧城市、智能家居、工業(yè)、可穿戴、聽覺設備等等領域，在中國可謂風生水起。

但恩智浦的步伐并不止于此，Geoff表示：“未來我們會加速中國團隊的發(fā)展，給中國和全世界市場開發(fā)更多的新產(chǎn)品，滿足不同市場需求。”作為全球領先的嵌入式應用安全連接技術的領導者，恩智浦致力于推動物聯(lián)終端應用市場的創(chuàng)新，助力中國產(chǎn)業(yè)發(fā)展，全面推出更適合中國用戶需求的解決方案，實現(xiàn)在中國市場上大有作為。