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DRAM的延遲正在變高，因為隨著芯片密度的增加，需要更新更多的隊列，32Gb的芯片上可能降低將近20%的性能。Chang提出了兩種機制，即通過對bank和子陣列的內(nèi)存訪問進行并行刷新來隱藏刷新延遲。
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