SiC關(guān)鍵字列表
第三代半導(dǎo)體：“虛擬生長(zhǎng)”引發(fā)充電革命
”晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授陳秀芳帶領(lǐng)的課題組有一項(xiàng)重要任務(wù)——通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、浙江大學(xué)教授盛況介紹，項(xiàng)目以應(yīng)用需求為牽引，將實(shí)現(xiàn)材料—芯片—模塊—充電設(shè)備—示范應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新。
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