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電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種正處于開發(fā)階段的下一代內(nèi)存技術(shù)。 這些內(nèi)存技術(shù)的問題在于它們依賴于異乎尋常的材料和復雜的開關機制，所以下一代內(nèi)存類型需要更長的開發(fā)時間。
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