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三星已可實現(xiàn)64層晶粒立體堆疊V-NAND 3D閃存
在美國加州圣克拉拉舉辦的閃充峰會上，三星宣布了一項技術(shù)升級突破：第四代V-NAND（立體堆疊3D閃存）已經(jīng)實現(xiàn)了64層晶粒（DIE）堆疊，存儲密度再次突破新高
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