碳納米管在相同尺寸上的性能超過硅晶體管

硅基互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管已經(jīng)很難再繼續(xù)縮小下去，碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，碳納米管晶體管的主要技術(shù)挑戰(zhàn)過去幾年已被陸續(xù)得到解決。

碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

芯片制造商現(xiàn)在面臨一定的困難，它們要用更小的制程制造更快的CPU，正因如此，芯片企業(yè)已經(jīng)開始尋找“硅”的替代品（比如碳納米管）。

IBM利用碳納米管“生長”芯片 速度可提升10倍

北京時間11月15日消息，據(jù)外媒報道，硅在芯片領(lǐng)域的主導地位可能終結(jié)。除更快和更節(jié)能的筆記本、智能手機芯片外，處理能力強大的微型處理器還可以催生新型技術(shù)

世界上最小的晶體管問世，碳納米管和二硫化鉬使晶體管尺寸達到1納米

摩爾定律曾預言集成電路上晶體管的密度每兩年就會翻一倍，十多年來這條定律無比準確地預言了半導體工業(yè)的高速發(fā)展，而現(xiàn)在，這場拉鋸戰(zhàn)快要接近終點。

更強CPU！碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

從理論上講，未來碳納米晶體管的性能可以比硅高5倍，換言之，如果用在設(shè)備中，它的能耗比硅晶體管低5倍。在人類的認識范圍內(nèi)，碳納米管是導電性能最強的材料之一，研究人員認為單根碳納米管的性能比常規(guī)硅晶體管高5倍。

碳納米管制備技術(shù)取得突破 直徑十億分之一米長度可達數(shù)千米

想象一下未來的電子報紙可以卷起來，就算你將咖啡翻在上面，它也不會壞，照樣能更新顯示內(nèi)容。碳納米管是一種頭發(fā)絲一樣的碳結(jié)構(gòu)，直徑僅有十億分之一米，而長度可達數(shù)千米。研究小組下一步的計劃是研制出更高效的聚合物，使得該過程最終商業(yè)化。

富士通將推55nm工藝碳納米管內(nèi)存：比閃存快一千倍

作為曝光率最高的納米技術(shù)之一，什么東西只要跟碳納米管沾邊馬上就顯得高大上了。Nantero這次與富士通合作，后者將把NRAM內(nèi)存整合到自家芯片中，預計2018年底推出，制程工藝為55nm。