美光DDR5實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心性能進(jìn)一步提升

責(zé)任編輯：cres

2020-01-13 15:29:02

摘自：新浪科技

Micron Technology, Inc (美光科技股份有限公司) 近日宣布采用1z納米制程的DDR5寄存型DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術(shù)上最為先進(jìn)的DRAM，其內(nèi)存性能提升至少85%，從而應(yīng)對下一代服務(wù)器負(fù)載。

Micron Technology, Inc. (美光科技股份有限公司) 近日宣布采用1z納米制程的DDR5寄存型DIMM (RDIMM) 已開始出樣。DDR5 是迄今為止技術(shù)上最為先進(jìn)的DRAM，其內(nèi)存性能提升至少85%，從而應(yīng)對下一代服務(wù)器負(fù)載。如今數(shù)據(jù)中心的系統(tǒng)架構(gòu)正在提供日益增多的處理器核心數(shù)、以及更大的內(nèi)存帶寬與容量，而 DDR5 使內(nèi)存密度翻倍，并同時(shí)提升可靠性。
 
“幾乎所有應(yīng)用環(huán)境的數(shù)據(jù)都在激增，數(shù)據(jù)中心從負(fù)載的工作中挖掘價(jià)值的挑戰(zhàn)越來越大，” 美光科技計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品事業(yè)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Tom Eby 表示，“更高性能、更高密度和更優(yōu)質(zhì)的內(nèi)存是應(yīng)對這些負(fù)載的關(guān)鍵所在。美光出樣 DDR5 RDIMM 是一項(xiàng)重大進(jìn)展，幫助業(yè)界進(jìn)一步提升了下一代以數(shù)據(jù)為核心的應(yīng)用價(jià)值。”
 
快速增多的數(shù)據(jù)集和計(jì)算密集型應(yīng)用環(huán)境產(chǎn)生了更高要求的工作負(fù)載，進(jìn)而帶來處理器核心數(shù)的增長，但目前的 DRAM 技術(shù)無法滿足帶寬需求。相較于 DDR4，DDR5 性能提升逾 1.85 倍。DDR5 還實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心所需要的可靠性、可用性和可服務(wù)性 (RAS)。

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