現(xiàn)實總是如此殘酷，在這一關(guān)系國家經(jīng)濟命脈的高科技產(chǎn)業(yè)，中國依舊沒有什么話語權(quán)。2017年，中國集成電路進口額達到了2601.4億美元，同比增長14.6%。有分析資料顯示，在存儲芯片、服務器、個人電腦、可編程邏輯設(shè)備等領(lǐng)域，中國芯片占有率竟然為0。

由于技術(shù)門檻高、投資規(guī)模巨大、高端人才稀缺，作為尖端產(chǎn)業(yè)，中國集成電路企業(yè)與世界巨頭相比還有相當大的差距。

不過變化正在發(fā)生，中興事件的警鐘下，政策層面已經(jīng)開始落實，各地方政府及社會資本也在積極推進，中國半導體產(chǎn)業(yè)迎來了爆發(fā)式發(fā)展的前夜。

一批優(yōu)秀的半導體企業(yè)脫穎而出，IC設(shè)計、晶圓代工、封裝測試、半導體材料、半導體專用設(shè)備等細分領(lǐng)域涌現(xiàn)出領(lǐng)頭企業(yè)，部分企業(yè)甚至成為細分領(lǐng)域的世界翹楚。這些企業(yè)代表了中國集成電路產(chǎn)業(yè)崛起的雄心。

與此同時，以大基金為代表的政府引導基金不斷涌現(xiàn)，社會資本不斷涌入，一些優(yōu)秀的投資人正通過資本力量為中國芯片產(chǎn)業(yè)注入一股新鮮血液。

在全球半導體產(chǎn)業(yè)進入巨頭壟斷，垂直整合不斷頻現(xiàn)的時期，中國半導體企業(yè)如何走出自己的道路?在各國政府對中資企業(yè)實施技術(shù)封鎖的時刻，中國企業(yè)如何自主創(chuàng)新?面對超高規(guī)模的資本投入，半導體企業(yè)如何有效結(jié)合資本手段，推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展?

在中國半導體崛起的背景下，《英才》雜志重磅推出專題策劃，梳理中國IC設(shè)計、晶圓代工、封裝測試、半導體設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)，把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，挖掘其中的投資機遇。

存儲篇

存儲芯片 零的突破

在主流存儲芯片領(lǐng)域，中國仍然是一片空白，這一形容前面不用“基本”二字做掩飾。全球DRAM、NAND存儲芯片基本由美日韓企業(yè)壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢賺得盆滿缽滿。

目前，在存儲芯片領(lǐng)域，中國企業(yè)開始后起發(fā)力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動存儲芯片DRAM的合肥長鑫以及致力于普通存儲芯片的晉華。

從無到有，長江存儲是中國第一艘沖破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產(chǎn)業(yè)向空白地帶探索的一艘航空母艦。

2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建長江存儲。其中紫光集團出資197億元，占股51.04%，從而對長江存儲形成控股。

“長江存儲是中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦。”紫光集團董事長趙偉國曾向《英才》記者強調(diào)，“從其投資規(guī)模、技術(shù)水平、對國家產(chǎn)業(yè)安全和國家信息安全的意義看，這一比喻并不為過。通過長江存儲這個項目，中國集成電路產(chǎn)業(yè)才真正在世界上有了一定的地位。”

據(jù)統(tǒng)計，長江存儲總投資將超過240億美元。這也是紫光集團目前為止最大的投資項目之一。

“紫光未來十年在芯片制造產(chǎn)業(yè)上投資1000億美元是一個基本數(shù)字，相當于平均每年投入100億美元。Intel、臺積電、三星每年在芯片制造上的資本開支都超過100億美元，達不到平均每年100億美元的投資規(guī)模，根本就進入不了芯片制造的第一陣營。”正如趙偉國所說，持續(xù)投入是繞不過的門檻。

2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預計項目建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

長江存儲以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片，填補了國內(nèi)空白，并力爭成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應商。未來這些產(chǎn)品將廣泛應用在移動通信，計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子等領(lǐng)域。

在存儲芯片領(lǐng)域，DRAM和NAND是最為重要的兩種類型，均呈現(xiàn)寡頭壟斷的情況。DRAM市場93%以上份額由三星、SK海力士和美光科技三家占據(jù);而NAND Flash市場幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

“在長江存儲項目之前，對于中國企業(yè)來說，不是縮短差距的問題，因為原來的基礎(chǔ)是零，所以在長江存儲之前和國際芯片制造巨頭的距離是無限遠。”趙偉國曾對《英才》記者表示，到2019年，將把紫光與三星、SK海力士的技術(shù)差距縮短1-2年左右，利用十年時間拉平與三星的鴻溝。

目前，長江存儲科已經(jīng)打造成為集芯片設(shè)計、工藝研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售服務于一體的半導體存儲器企業(yè)。

全球來看，擁有芯片全產(chǎn)業(yè)鏈能力的企業(yè)屈指可數(shù)，僅有三星、英特爾、德州儀器等具備貫穿前段的設(shè)計，中段的制造和封測，再到后段的市場銷售。

相對于IC設(shè)計企業(yè)(Fabless)、代工企業(yè)(Foundry)，創(chuàng)建這類IDM公司需要高額的資金成本，以及對整個產(chǎn)業(yè)鏈市場需求的準確把握。從這一角度看，長江存儲為我國芯片產(chǎn)業(yè)做出了表率，趟出了一條新的道路。

合肥長鑫

在長江存儲順利開始生產(chǎn)國內(nèi)首款32層3D NAND閃存芯片的同時，合肥長鑫的存儲基地也在緊鑼密鼓的進行中。

2018年4月16日，據(jù)媒體報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，待裝機完成之后，從2018下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。

相比于長江存儲，合肥長鑫的成立要低調(diào)得多，直到2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥長鑫公司宣布，預計由合肥長鑫投資72億美元，興建12吋晶圓廠以發(fā)展DRAM產(chǎn)品，未來完成后，預計最大月產(chǎn)將高達12.5萬片規(guī)模。

此后，在NOR Flash 市場位居世界第三的兆易創(chuàng)新公告與合肥產(chǎn)投簽署了合作協(xié)議，雙方合作開發(fā)19nm的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)。

在管理層和技術(shù)人員方面，合肥長鑫也是強強聯(lián)合，目前擔任公司董事長的王寧國，此前任全球第一大半導體生產(chǎn)設(shè)備公司美國應用材料公司全球執(zhí)行副總裁、華虹集團CEO、中芯國際CEO;人才方面，公司大舉招聘海力士、爾必達、華亞科等的員工組成研發(fā)隊伍，華亞科前資深副總劉大維也成為了合肥長鑫的員工。

除了以王寧國主導開展公司經(jīng)營和發(fā)展以外，合肥政府聯(lián)合兆易創(chuàng)新作為合作伙伴，兆易創(chuàng)新在全球NOR Flash市場已占據(jù)一席之地，但囿于NOR Flash的市場規(guī)模有限，進軍DRAM市場既能向外延伸自己技術(shù)能力，又能拓展新的業(yè)務范疇。

最新的消息顯示，王寧國在合肥集成電路重大項目發(fā)布會上表示，合肥長鑫DRAM內(nèi)存芯片一期(一廠廠房)已于2018年1月完成建設(shè)，并開始安裝設(shè)備;2018年底就將開始生產(chǎn)8Gb DDR4存儲器的工程樣品;2019年底有望達到2萬片/月的產(chǎn)能;2020年再開始規(guī)劃二廠廠房的建設(shè);2021年要完成對17nm工藝節(jié)點的技術(shù)研發(fā)。

長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目正加快建設(shè)，項目完全投產(chǎn)后預計將占據(jù)世界DRAM市場約8%的份額，填補國內(nèi)DRAM市場的空白。

將來，合肥長鑫希望憑借自身的DRAM IDM平臺，來大力扶持處在行業(yè)上游的、國產(chǎn)半導體設(shè)備與材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的進程。

福建晉華

另一大存儲器制造基地福建晉華在2017年11月即已完成了封頂，現(xiàn)今廠房外觀已接近完工。福建晉華力爭在2018年7月開始遷入機臺設(shè)備，并于2018年第三季度一期項目開始投入生產(chǎn)。

據(jù)悉，福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華集成電路，JHICC)是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設(shè)立的先進集成電路生產(chǎn)企業(yè)。

技術(shù)來源上，公司與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作，投資56.5億美元，在福建省晉江市建設(shè)12吋內(nèi)存晶圓廠生產(chǎn)線，開發(fā)先進存儲器技術(shù)和制程工藝，并開展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷售。

臺聯(lián)電與晉華曾簽署了技術(shù)合作協(xié)議，接受晉華委托并開發(fā)DRAM存儲器相關(guān)的制程技術(shù)，晉華則提供DRAM特用設(shè)備并依開發(fā)進度支付技術(shù)報酬金作為開發(fā)費用，開發(fā)成果由雙方共同擁有。

值得注意的是，晉華集成電路已納入“十三五”集成電路重大生產(chǎn)布局規(guī)劃，并獲得首筆30億元人民幣的國家專項建設(shè)基金支持。公司旨在成為具有先進工藝與自主知識產(chǎn)權(quán)體系的集成電路內(nèi)存(DRAM)制造企業(yè)。

原本預計2018年9月試產(chǎn)，并達到6萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，現(xiàn)今整個項目正在加速推進中。