SK海力士開發(fā)首款硅通孔封裝技術(shù)的存儲芯片

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2013-12-27 09:39:54

摘自:手機中國

SK海力士今天稱,它開發(fā)了全球首款硅通孔封裝(TSV)技術(shù)的存儲芯片,芯片速度和效率大大提高。這是GDDR5芯片的四倍,它可以在1.2伏特的電壓下運行。

SK海力士今天稱,它開發(fā)了全球首款硅通孔封裝(TSV)技術(shù)的存儲芯片,芯片速度和效率大大提高。

SK海力士稱,這款高帶寬內(nèi)存芯片處理速度達到128字節(jié)/秒,這是GDDR5芯片的四倍,它可以在1.2伏特的電壓下運行。

SK海力士稱,這款芯片將耗電量小于40%。

它與AMD共同開發(fā),新產(chǎn)品使用TSV技術(shù)結(jié)合40納米級別DRAM,可使DRAM以更高電效率連接。

SK海力士稱TSV芯片能夠應(yīng)用于高圖形性能設(shè)備,也能用于超級計算機和服務(wù)器中。據(jù)說這款芯片將于2014年下半年開始量產(chǎn)。

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