三星電子從本月6日起在全球量產(chǎn)突破半導(dǎo)體微細(xì)化技術(shù)極限的3D垂直堆疊型結(jié)構(gòu)NAND閃存芯片。

此次推出的3D V-NAND閃存芯片規(guī)格為128Gb，為業(yè)界最大容量。該產(chǎn)品同時(shí)采用了三星獨(dú)創(chuàng)的“3D圓柱形電荷捕獲型柵極存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)技術(shù)”和“3D垂直堆疊制程技術(shù)”，與采用20納米級(jí)單層結(jié)構(gòu)的高性能NAND閃存產(chǎn)品相比，密度提高了兩倍以上，由此顯著提高了生產(chǎn)效率。

三星電子此次將原來單層排列的存儲(chǔ)單元以3D垂直堆疊方式重新排列，不僅同時(shí)實(shí)現(xiàn)了“結(jié)構(gòu)創(chuàng)新”和“制程創(chuàng)新”，更將原有問題一并解決，為業(yè)界開創(chuàng)了“3D閃存芯片量產(chǎn)新紀(jì)元”。

由此，三星電子成功突破了10納米級(jí)以下半導(dǎo)體技術(shù)的極限，為將來推出1Tb以上大容量NAND閃存確保了技術(shù)來源，也掀開了NAND閃存技術(shù)革新的新篇章。

三星電子存儲(chǔ)芯片事業(yè)部閃存開發(fā)部負(fù)責(zé)人崔定爀專務(wù)表示：“過去數(shù)年間，公司全體員工為突破半導(dǎo)體技術(shù)極限并實(shí)現(xiàn)技術(shù)革新付出了辛勤勞動(dòng)。公司今后將持續(xù)推出具有更高密度和更優(yōu)良性能的產(chǎn)品，為世界IT產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展貢獻(xiàn)力量。”

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，世界NAND閃存芯片市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，從今年的236億美元增長(zhǎng)到2016年的308億美元。