美光預(yù)估第四季度前景低于市場預(yù)期

美光預(yù)期第四季度銷售環(huán)比衰退2-6%，同比成長降速為16-22%(低于第三季度的38%同比成長)，并且低于市場預(yù)期近4%。雖然美光預(yù)期57-60%毛利，49%營業(yè)利益，44%的凈利率都與市場預(yù)期相同，但遠(yuǎn)低于前兩季度的61%毛利，51-52%營業(yè)利益，49-51%的凈利率。美光認(rèn)為第四季度銷售低于預(yù)期是因為英特爾14納米x86 CPU 短缺可能持續(xù)到明年第一季度(我們認(rèn)為英特爾應(yīng)該是短暫將產(chǎn)能轉(zhuǎn)去幫蘋果三款新手機(jī)做XMM7560基頻芯片)而造成某些特定客戶開始清除因之前擔(dān)心漲價而多建的庫存，可能將持續(xù)數(shù)季度， 加上美國提高關(guān)稅的不利影響。而在產(chǎn)業(yè)下行趨勢拐點出現(xiàn)后，美光竟然提高2019年資本支出同比成長16%到105億美金，預(yù)計透過96層3D NAND閃存的技術(shù)演進(jìn)將閃存產(chǎn)能位元成長率(bit growth)拉高到超過40%(高于產(chǎn)業(yè)平均的35-40%同比成長)。

供給過剩，價格下行趨勢確立

因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷售不佳，但加上3D NAND閃存轉(zhuǎn)到96層及DRAM內(nèi)存轉(zhuǎn)到19納米以下制程工藝的產(chǎn)能增加，預(yù)估明年內(nèi)存DRAM (23-25%供給vs. 20%需求)和閃存NAND(43-45% 供給vs. 40%需求)將會有3-5%的供過于求，價格下行趨勢確立，預(yù)期在未來12個月內(nèi)，DRAM內(nèi)存每位元現(xiàn)貨價格(bit price)同比將衰退超過20%，NAND閃存現(xiàn)貨價格同比將衰退超過40%，而將造成2019年整體存儲器芯片產(chǎn)業(yè)同比衰退5-9%及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比衰退1-4%(但邏輯芯片將持續(xù)成長)。我們的預(yù)估是比存儲器產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange對明年存儲器芯片產(chǎn)業(yè)5%的同比成長預(yù)估(DRAM 7% 同比成長，NAND同比零成長)來的悲觀許多，但DRAMeXchange最新出爐的報告也因近期供過于求，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預(yù)期，從1-3%價格環(huán)比下跌下修到5%的價格下跌。

這次下行趨勢有多糟?

雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預(yù)估此次下行趨勢應(yīng)不超過18個月，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應(yīng)于明年下半年量產(chǎn)，AMD 7納米x86 CPU， 7納米挖礦機(jī)及智能手機(jī)，5G手機(jī)等都將于明年出籠取代中低階機(jī)種及對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此我們預(yù)估大多數(shù)的內(nèi)閃存存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對中國產(chǎn)業(yè)的影響?

雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC (Single-Level Cell， 單層單元閃存) NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流存儲器芯片大廠不步入虧損，預(yù)期主流存儲器廠商不會將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌。預(yù)計NOR和SLC NAND閃存領(lǐng)導(dǎo)廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產(chǎn)品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉(zhuǎn)為價格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND，而讓相關(guān)廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產(chǎn)的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲(3DNAND)， 合肥長鑫(Mobile DRAM)，福建晉華(NicheDRAM)當(dāng)然是雪上加霜。