石墨烯芯片可望延續(xù)摩爾定律

責任編輯:zsheng

2018-09-14 14:22:35

摘自:國際電子商情

我相信,石墨烯(graphene)將在未來催生半導體材料的下一個重大創(chuàng)新。

我相信,石墨烯(graphene)將在未來催生半導體材料的下一個重大創(chuàng)新。

材料創(chuàng)新一直是半導體產業(yè)中重要的一環(huán)。過去,最重要的是高κ閘極介電質;現在,則是鈷成為在半導體中段制程(middle-of-line;MOL)觸點中替代鎢的重要元素。

2004年發(fā)現的石墨烯,是迄今最輕薄但最強大的材料。它是碳的一個原子層,它比鋼更強勁200倍,同時也是人類已知最輕薄的材料——每平方公尺的重量約0.77毫克(mg)。它同時也是室溫下的理想導電和導熱體。

由于石墨烯是一個原子層,因此既柔軟且透明。它還能在可見光與近紅外線頻譜范圍展現均勻吸收光的能力,而且適用于自旋電子元件。

針對即將出現的新半導體制程節(jié)點,石墨烯將在其先進封裝與互連材料方面發(fā)揮重要作用。在3D IC封裝中,石墨烯可作為散熱片,用于降低整體熱阻,或作為EMI屏蔽,以降低串擾。

主動式石墨烯元件層可經由低溫轉換制程(< 400°C)彼此堆疊,實現支援近記憶體運算(memory-near-compute)的高密度異質元件。這是目前美國國防部先進計劃署(DARPA)目前正積極研究的一個領域,同時也是其15億美元電子振興計劃的一部份。

至于互連,銅的動能逐漸消逝,而成為重大的IC瓶頸,預計在7nm節(jié)點時達到40%的延遲。石墨烯由于具有較高的電子遷移率和導熱性,使其成為半導體中段和后段制程中更具吸引力的互連材料,特別是在線寬< 30nm時。

基于石墨烯的半導體應用已經開始進入市場。在今年于巴塞隆納舉行的世界行動通訊大會(MWC 2018)展出了一款整合石墨烯調變器和光探測器的新型光收發(fā)器,可實現高達每通道25Gbits/s的速度。美國圣地亞哥一家公司Nanomedical Diagnostics已經開始銷售使用石墨烯生物感測器的醫(yī)療裝置了。而在歐洲,Emberion正在打造石墨烯光電感測器,用于改善低光條件下的感測能力,還可望在光達應用中找到一席之地。

離子布植(ion implantation)技術的發(fā)展歷史正是石墨烯如何用于半導體產業(yè)的最佳寫照——從基礎科學發(fā)現演變至實驗室研究,再進展到實際于廠房制造的過程。

在離子布植技術發(fā)展之初,半導體產業(yè)當時的主流觀點并不看好這種技術實際可行(相對于熱擴散),就算它能起什么作用,也只是略微提高現有產品的制造產量。從核子物理研究轉移離子轟擊技術到半導體生產并不明顯。

后來,英國物理學家Peter Rose主導的Varian公司打造了一種新的先進離子布植工具,美國德州DRAM制造商Mostek已經用它制造出具有競爭優(yōu)勢的MOS IC了。Varian和Mostek雙方的成功合作是離子布植發(fā)展成為主要的半導體制程之轉折點。

在其后幾年,晶片公司在越來越多的制程步驟中導入離子布植技術。大約在1970年代后,它逐漸成為半導體制造所使用的主要制程之一。

同樣地,石墨烯產業(yè)也必須與半導體產業(yè)密切合作,共同開發(fā)足以克服石墨烯挑戰(zhàn)的工具和技術。唯有如此,我們才能完全實現包含這種2D材料的未來。

石墨烯的挑戰(zhàn)包括在大面積上生長具有良好均勻性的材料。此外,如何以CMOS相容方式轉移石墨烯以及實現高吞吐量等方面也存在需要解決的問題。

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