中國手機品牌在全球市場表現(xiàn)有目共睹。全球智能手機品牌出貨量TOP10中，國內(nèi)手機廠商占據(jù)7個席位。

中國手機產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平進步明顯，產(chǎn)業(yè)鏈配套能力提升。LCD屏幕國內(nèi)企業(yè)技術(shù)成熟，國內(nèi)市場上超過85%的手機LCD屏來自國產(chǎn)品牌面板企業(yè);OLED方面建立多條產(chǎn)線，京東方、和輝光電已有OLED產(chǎn)品出貨;攝像頭模組領(lǐng)域舜宇、歐菲光、丘太科技位列國內(nèi)市場供貨前三;指紋模組領(lǐng)域，歐菲光擁有蘋果、華為、小米等多家國內(nèi)外客戶資源;手機后蓋材料領(lǐng)域，蘋果和三星的玻璃蓋板基本來自伯恩光學(xué)和藍思科技;在天線領(lǐng)域，信維通信是蘋果的核心供應(yīng)商之一。

但是，我們也要清楚地認識到，在手機核心元器件方面，我國依賴國外企業(yè)的現(xiàn)象依然明顯。

“作為全球集成電路領(lǐng)域最大消費國，我國在一些核心元器件上卻處于‘自制率較低’境遇。”賽迪顧問半導(dǎo)體副總裁李珂在接受《通信產(chǎn)業(yè)報》(網(wǎng))記者采訪時表示。 而這種現(xiàn)狀更尤其表現(xiàn)在手機存儲芯片產(chǎn)業(yè)。

手機存儲是短板

我國手機產(chǎn)業(yè)短板之一的存儲芯片產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪洗禮。

近日，福建晉華和臺灣聯(lián)電各自發(fā)布聲明，稱因涉嫌專利侵權(quán)，福州中院發(fā)布“臨時禁令”，要求美光停止在華銷售部分DRAM和NAND產(chǎn)品。

在此之前，媒體披露，由于涉嫌操縱哄抬內(nèi)存價格，國際三大存儲巨頭三星、 SK海力士、美光遭中國反壟斷調(diào)查，或遭罰款8-80億元。

而更早之前，去年12月，美光科技在美國加州提起民事訴訟，控告臺灣聯(lián)電及福建晉華侵害DRAM的營業(yè)秘密。

從訴方變成反訴方，從反訴方變成訴方，以及有關(guān)機構(gòu)的介入，各方利益博弈的背后，隱藏著產(chǎn)業(yè)鏈的眾生相，有需求者的無奈、領(lǐng)軍者的得意、入局者的失落、監(jiān)管者的警覺。 但，更是暴露出我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)缺“芯”現(xiàn)狀。

實際上，每次手機發(fā)布會上被廠商著重潑墨的存儲芯片，我國卻一直依賴進口。

統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，我國每年芯片進口額超過兩千億美元，其中，存儲芯片占比接近50%。2017年，中國進口存儲芯片889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長39.56%。

巨頭壟斷下的無奈

用于智能手機里的存儲芯片分為兩大類，動態(tài)隨機存儲器DRAM和閃存NAND Flash。簡單來說，手機廠商宣傳的4GB內(nèi)存對應(yīng)的便是DRAM，32GB或64GB存儲對應(yīng)的是NAND Flash。這兩大存儲芯片市場長期被幾家巨頭壟斷。

在DRAM市場，三星、海力士、美光的市場份額分別為44%、27%、22%，三家合計占比超過90%;在NAND Flash市場，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士的市場份額分別是39%、16.8%、15.1%、11.3%、10.5%，五家占比同樣超過90%。

巨頭壟斷也意味著他們對于存儲芯片的定價擁有著話語權(quán)。據(jù)悉，從2016年開始，DRAM的價格多次提高，2017年的價格漲幅更是高達40%。從今年年初到現(xiàn)在，DRAM價格漲幅開始有所下降，不到10%，但對利潤空間本來就很小的中國手機品牌廠來說，承受著巨大的壓力。

反觀三星，2017年，全球DRAM市場增長74%，規(guī)模達到722億美元，“頭部企業(yè)”三星、海力士、美光成為最大的受益者，銷售收入也隨之水漲船高。海力士2017年報顯示，營收30.1094萬億韓元(約合1796億元)，同比增長75%;凈利13.7213萬億韓元，同比增長319%。

從專利突圍

“三大巨頭能如此肆無忌憚漲價，是否也暴露出我們核心技術(shù)受制于人的窘境呢?”李珂一語道出問題關(guān)鍵所在。

因此，對于技術(shù)受制于人的局面，專家直言，我們不能回避，只能借鑒和吸收國外先進技術(shù)，主動出擊，實現(xiàn)破局。

當(dāng)前，我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)地圖已經(jīng)初步形成。既有投入NAND Flash市場的長江存儲，也有專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，亦有致力于利基型內(nèi)存的福建晉華。

從三家廠商披露的信息看，各自產(chǎn)品已進入量產(chǎn)倒計時階段。試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018年下半年，量產(chǎn)時間則可能集中在2019年上半年。

在國內(nèi)存儲芯片研發(fā)仍處于爬坡上坎階段的時候，需要指出的是，無論DRAM還是NAND Flash，比拼的除了先進工藝和規(guī)模，更重要的是專利難題。

這是因為，對于存儲器產(chǎn)業(yè)，小小的一個零部件都有著嚴苛的專利保護。而這些專利往往掌握在巨頭手中，巨頭市場占有量又非常大。因此，要避開所有現(xiàn)有的專利來進行開發(fā)，挑戰(zhàn)非常大。

國家知識產(chǎn)權(quán)局知識產(chǎn)權(quán)發(fā)展研究中心研究員王雷就對《通信產(chǎn)業(yè)報》(網(wǎng))表示，傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品被大量專利保護。

“即使中國廠商千辛萬苦創(chuàng)新突破完成DRAM技術(shù)研發(fā)，但很可能還沒有運作到量產(chǎn)階段，就先收到巨頭的專利投訴。”王雷指出。

因此，在技術(shù)攻關(guān)之外，筑起專利護城河也是國內(nèi)企業(yè)進入市場的重要手段。行業(yè)分析師付亮對《通信產(chǎn)業(yè)報》(網(wǎng))記者表示，對于新進入者，唯一能做的就是擴大自身專利池。只有壯大自身實力把產(chǎn)品做好，始終堅持自主研發(fā)，當(dāng)大家都是核心專利時，才有資格和他廠談判，走專利互授權(quán)路線。

福建晉華和臺灣聯(lián)電提起的專利侵權(quán)訴訟，便很好地佐證了付亮的看法，只有做好自己的專利池，才能在維護自身利益的同時對大廠進行反制。

王雷還表示，除了龐大的資金投入外，企業(yè)在當(dāng)前新形勢下發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，不應(yīng)只是簡單的追趕，而應(yīng)該更加注重技術(shù)和市場的創(chuàng)新;應(yīng)做好長期儲備，在資金上確保持續(xù)投入;更重要的是要在立足自身市場特點的基礎(chǔ)上追求世界領(lǐng)先水平。

我國存儲芯片產(chǎn)業(yè)正從邊緣突破，形成技術(shù)優(yōu)勢，從而邁進市場準入門檻，樂觀估計，5-10年內(nèi)將改寫存儲芯片市場被國際大廠壟斷的局面。