北京時(shí)間12月25日晚間消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》網(wǎng)站報(bào)道，由于三星的制造技術(shù)相對(duì)落后，高通驍龍855移動(dòng)處理器將由臺(tái)積電代工。

之前，臺(tái)積電曾為高通代工驍龍810處理器，使用的20納米制造工藝。但之后，每一款800系列的驍龍?zhí)幚砥骶扇谴?，包括驍?35和845。

但《日經(jīng)新聞》網(wǎng)站日前報(bào)道稱，計(jì)劃于2019年上市的驍龍855移動(dòng)處理器將由臺(tái)積電代工。該報(bào)道援引知情人士的消息稱，這主要是因?yàn)槿窃?018年還無(wú)法使用7納米制造工藝。

明年上市的驍龍845處理器將采用三星第二代10納米制造工藝，即“10LPP”。該工藝較第一代10納米技術(shù)“10LPE”在性能方面將提高10%。

繼第二代10納米制造工藝“10LPP”之后，三星將采用“8LPP”制造工藝。該工藝基于10納米技術(shù)，但有所升級(jí)，芯片面積可降低10%左右。

分析人士稱，“8LPP”制造工藝較“10LPP”工藝先進(jìn)，但仍無(wú)以匹敵臺(tái)積電的7納米制造工藝，這也正是高通重新?lián)肀_(tái)積電的原因。

報(bào)道還稱，當(dāng)三星的7納米制造工藝成熟后，高通之后的驍龍?zhí)幚砥骺赡軐⒃俅斡扇谴ぁ?/p>