國(guó)內(nèi)集成電路ALD設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

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2017-12-11 14:21:30

摘自:中證網(wǎng)

近日,由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸原子層沉積(AtomicLayer Deposition,ALD)設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。

近日,由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸原子層沉積(AtomicLayer Deposition,ALD)設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國(guó)產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線的應(yīng)用再添新秀。

國(guó)內(nèi)集成電路ALD設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心

ALD設(shè)備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設(shè)備,ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺(tái)階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點(diǎn)后,ALD工藝應(yīng)用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開(kāi)始布局ALD設(shè)備的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,歷時(shí)四年,成功推出中國(guó)首臺(tái)應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的量產(chǎn)型單片ALD設(shè)備——PolarisA630,應(yīng)用于沉積集成電路器件中的高介電常數(shù)和金屬柵極薄膜材料,設(shè)備的核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

此次,北方華創(chuàng)微電子Polaris A630ALD設(shè)備以參與公開(kāi)競(jìng)標(biāo)方式,成功進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司,同時(shí)中標(biāo)的產(chǎn)品還有北方華創(chuàng)微電子集成電路AlPad工藝的eVictor A1030物理氣相沉積系統(tǒng)。至此,北方華創(chuàng)微電子已有硅刻蝕機(jī)、單片退火設(shè)備、Hardmask PVD、AlPad PVD、單片清洗機(jī)、立式爐、ALD等集成電路設(shè)備應(yīng)用于28-14納米工藝制程,擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)高端裝備在集成電路先進(jìn)制程的配套應(yīng)用范圍。

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